第15回 研究集会
デバイスの性能を最大限引き出し、LSIの高性能化を続けて行くためには、配線技術の進歩が不可欠である。従来のRC充放電方式による配線技術では、低抵抗化のためのCu配線、浮遊容量低減のためのlow-k材料導入が配線技術の高性能化の指針である。しかし、GHzクロック時代を迎えるにあたり、従来RC充放電回路構成そもそも適用できないといった問題に直面しつつある。
今回の研究会では、GHz高速配線において考慮しなければならない課題と問題点を明らかにする。また、現在精力的に進められている新しい新配線プロセス工程ならびに低抵抗Cu配線技術の問題を信頼性の観点から議論を行う。
開催場所
東京大学 山上会館
| テーマ | 超高速多層配線技術の課題と展望 |
|---|---|
| オーガナイザー | 堀池靖浩(東大)、木村紳一郎(日立製作所)、益一哉(東北大) |
プログラム
１３：００～１３：１０
巻頭言
堀池靖浩、木村紳一郎*、益 一哉**（東京大学、(株)日立製作所*、東北大学** ）
１３：１０～１３：４０
Cu配線の信頼性評価（EMによるshort不良）
安田純一 野口純司 宮内正敬 樋口裕久（日立製作所デバイス開発センタ）
１３：４０～１４：１０
多層配線の故障解析技術
二川 清（NEC デバイス評価技術研究所）
１４：１０～１４：４０
次世代以降の多層配線プロセス技術
早坂伸夫（東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所）
１５：００～１５：３０
ディジタル高周波信号におけるLSIと実装配線の考え方
大塚寛治（明星大学情報学部電子情報学科）
１５：３０～１６：００
高速ボード配線（SDRAM,Rambusを例にとって）
碓井 有三（富士通 ストレージプロダクト事業本部）
１６：００～１６：３０
伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
安生健一朗、水野 正之、住 能和、深石宗男、若林 整、最上 徹、堀内忠彦、山品正勝（NEC シリコンシステム研究所）
１６：３０～１７：００
GHz高速配線構造
益 一哉、坪内和夫（東北大）