0. 10:00-10:10
モデリング研究委員会から
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

座長　宇野 重康 <立命館大学>

1. 10:10-10:50
電流揺らぎによるナノデバイスの動作周波数限界 －EMC-MDシミュレーションによる検討－
神岡 武文 1,5、今井 裕也 2、鎌倉 良成 3,5、大毛利 健治 4,5、白石 賢二 4,5、丹羽 正昭 4,5、山田 啓作 4,5、渡邉 孝信 2,5
<早稲田大学 ナノ理工学研究機構 1、早稲田大学 理工学術院 2、大阪大学 大学院工学研究科 3、筑波大学 大学院数理物質科学研究科 4、JST-CREST 5>

2. 10:50-11:30
NEMS-MOSFETハイブリッドデバイスモデリング
土屋 良重 1、F. Arab Hassani 1、M. A. Garcia-Ramirez 1、永見 佑 2、小田 俊理 2、水田 博 1,3
<サウサンプトン大・物理応用科学部・電子情報工学部門 1、東工大 量子ナノエレクトロニクス研究センター 2、北陸先端大 マテリアルサイエンス研究科3>

昼食11:30-13:00

座長　林 洋一 <ラピスセミコンダクタ株式会社>

3. 13:00-13:40計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ―抵抗変化メモリの知的設計―
笠井 秀明、中西 寛、三輪 邦之、岸 浩史 <大阪大学大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻>

4. 13:40-14:20スピン注入型ＭＲＡＭのデバイスモデリングと回路シミュレーション
鎌倉 良成 1,2、平松 佑己 1、森 伸也 1,2 <大阪大学大学院工学研究科 1、JST-CREST 2>

休憩14:20-14:40

5. 14:40-15:20コンタクト深さが接合リークに与える影響のシミュレーション
松澤 一也 1、中村 光利 2、執行 直之 2
<(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー 1、(株)東芝セミコンダクター＆ストレージ社 2>

6. 15:20-16:00
MEMS等価回路モデルパラメータ抽出とその応用
藤原 信代 1、浅海 和雄 1、鈴木 勝順 2、西森 勇貴 2、橋口 原 3
<みずほ情報総研株式会社 1、技術研究組合BEANS研究所 2、静岡大学 電子工学研究所 3>

以上