(9:30-9:35)　はじめに　　坂本邦博（産総研）

1. (9:35-10:00)　14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのVtおよびGmばらつき抑制技術
○松川 貴、柳 永勛、水林 亘、塚田順一、山内洋美、遠藤和彦、石川由紀、大内真一、太田裕之、右田真司、森田行則、昌原明植
産業技術総合研究所　ナノエレクトニクス研究部門

2. (10:00-10:25)　チャネル長を3 nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性
○右田真司、森田行則、昌原明植、太田裕之
産業技術総合研究所　グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

3. (10:25-10:50)　Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeOx/Ge界面による移動度の向上
○張睿、黄博勤、林汝静、竹中充、高木信一
東京大学大学院工学系研究科

4. (10:50-11:15)　本質的なグラフェン/金属界面特性
○長汐晃輔，井福亮太，森山喬史，西村智紀，鳥海明
東京大学　マテリアル工学専攻

5. (11:15-11:40) 　 AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上
○細井卓治、東雲秀司1、柏木勇作1、保坂重敏1、中村亮太2、箕谷周平2、中野佑紀2、浅原浩和2、中村孝2、木本恒暢3、志村考功、渡部平司
大阪大学、1東京エレクトロン株式会社、2ローム株式会社、3京都大学

昼休み　11:40-12:40

6. (12:40-13:05)　イメージセンサにおけるオンチップ光学系の発展
○寺西信一、渡辺尚志、上田壮彦、仙石直久
パナソニック株式会社デバイス社イメージセンサビジネスユニット

7. (13:05-13:30)　ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響
○松本高士、小林和淑*、小野寺秀俊
京都大学、*京都工芸繊維大学

8. (13:30-13:55)　ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響
三木浩史，手賀直樹，○山岡雅直，D. J. Frank*，A. Bansal*, 小林正治*，K. Cheng*, C. P. D'Emic*, Z. Ren*, S. Wu†, J-B. Yau*, Y. Zhu*, M. A. Guillorn*, D.-G. Park*, W. Haensch*, E. Leobandung*, 鳥居和功日立中研，*IBM T. J. Watson Research Center, †IBM SRDC East Fishkill

9. (13:55-14:20)　相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証
○宮村信、多田宗弘、阪本利司、伴野直樹、岡本浩一郎、井口憲幸、波田博光
超低電圧デバイス技術研究組合

休憩　14:20-14:40

10. (14:40-15:05)　高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ
安部恵子、野口紘希、北川英二、下村尚治、伊藤順一、○藤田忍
（株）東芝　研究開発センター

11. (15:05-15:30)　スピン注入書き込みＭＲＡＭ技術の進展と、そのノーマリオフコンピュウテイング実現に対する効果
與田博明*、藤田忍、○下村尚治、北川英二、安部恵子、野村久美子、野口紘希、伊藤順一
（株）東芝　研究開発センター、*（株）東芝 半導体研究開発センター

12. (15:30-15:55)　ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能
○周藤悠介1,5,6，山本修一郎2,5，介川裕章3,5，ZhenChao Wen3,5，中根了昌4,5，三谷誠司3,5，田中雅明4,5，猪俣浩一郎3,5，菅原聡1,2,5
1東京工業大学像情報工学研究所、2東京工業大学大学院総合理工学研究科、3物質・材料研究機構、4東京大学大学院工学系研究科、5科学技術振興機構CREST、6神奈川科学アカデミー

13. (15:55-16:20) 　IEDMを振り返って
遠藤和彦
産業技術総合研究所　ナノエレクトニクス研究部門

14. (16:20-17:00)　総合討論

17:00 終了