第157回 研究集会
微細シリコンデバイスにおける短チャネル効果抑制の観点からSilicon-On-Insulator(SOI)が採用され，すでに広い分野で用いられています。さらに、近年のデバイス高精細化は基板上デバイスにとどまらずシリコン層、埋込み絶縁(BOX)層の微細化をも加速しています。今回の研究会では極薄SOI，極薄BOX世代に到達が間近となったSOI基板技術、デバイス技術を取り上げました。またSOIデバイス，基板，評価技術に加え、最近の異種貼り合わせまでを含め、X-On-Insulatorとして包括的に議論するプログラム構成といたしました。
開催場所
日本大学駿河台キャンパス１号館
〒101-8308 東京都千代田区神田駿河台1-8-14JR中央・総武線「御茶ノ水駅」、東京メトロ千代田線「新御茶ノ水駅」下車徒歩3分 都営新宿線「小川町駅」下車徒歩7分 http://www.cst.nihon-u.ac.jp/map/suru.html
| テーマ | SOI関連技術の最近の進展 |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員 2000 円、学生 2000円、非分科会員 4000 円 |
| 担当 | 高橋芳浩 (日本大学)、森田行則 (産業技術総合研究所) |
| お問い合わせ先 | 高橋芳浩 日本大学理工学部 電子情報工学科 教授 〒274-8501 千葉県船橋市習志野台7-24-1 TEL/FAX: 047-469-5459 E-mail: ytaka@ecs.cst.nihon-u.ac.jp |
プログラム
はじめに (13:00-13:10)
講演題目 (敬称略)
(1) 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOSデバイス 杉井信之 LEAP (13:10-13:50)
(2) Smart Cut技術による極薄Si/極薄BOXのSOI基板技術 吉見 信 SOITEC Japan (13:50-14:30)
(3) SOIデバイスの耐放射線強化技術-SOIはそのままではソフトエラーに強くない- 廣瀬和之 宇宙研(14:30-15:10)
(休憩 20min 15:10-15:30)
(4) 立体構造デバイスの自己加熱：SOI構造とBulk構造の比較 内田 建 慶応大学 (15:30-16:10)
(5) SIMOXの過去と現在 小椋厚志 明治大学 (16:10-16:50)
(6) Ge-OIおよびIII-V-OI基板及びデバイス技術の進展 前田辰郎 産総研 (16:50-17:30)
閉会にあたって (17:30-17:40)
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