１２：３０～１：００
Ｓｉ/ＳｉＯ２界面構造の電気化学的評価法の開拓
大阪大学、(株)富士通研究所*
松村道雄、水田有美*、渡辺　悟*

１：００～１：３０
汎用のＸ線反射率装置による極薄シリコン酸化膜の解析
（株）松下テクノリサーチ
松永利之、梅谷幸宏、神前　隆、塚本和芳

１：３０～２：００
湿式洗浄Ｓｉ(００１)水素終端化表面のＳＴＭ観察と第一原理計算よる考察
大阪大学
有馬健太、遠藤勝義、片岡俊彦、森　勇蔵

２：００～２：３０
加熱触媒体により生成した原子状水素による単結晶シリコンのエッチング
北陸先端科学技術大学院大学
内田賢志、橋岡真義、佐藤豪一、和泉　亮、松村　英樹

２：３０～３：００
Ｓｉ－ＡＬＥ成長特性のＡＦＭによる評価
東京工業大学
池田圭司、佐藤康夫、菅原　聡、松村正清

３：１０～３：４０
イオンプローブを用いた部分空乏型ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの基板浮遊効果の抑制に関する研究
大阪大学、三菱電機(株)*
阿保　智、水谷斉治、岩松俊明*、前川繁登*、犬石昌秀*、西村　正*、高井幹夫

３：４０～３：１０
ＳＯＩとバルクＳｉ基板中での不純物拡散の比較
名古屋工業大学
荒井英輔、内田秀雄、市村正也

４：１０～４：４０
位相制御エキシマレーザ誘起横方向成長法における結晶成長距離拡大
東京工業大学、武蔵工業大学*
佐野泰之*、葉　文昌、服部健雄*、松村正清

４：４０～５：１０
ＣＭＰシミューレーション技術およびＬＳＩ設計への応用
(株)半導体先端テクノロジーズ
太田敏行、西　謙二