●09：30～14：25　MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術

(1) 09:30 - 09:50
極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計
○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大院工）

(2) 09:50 - 10:10
Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査
○永冨雄太・長岡裕一（九大総理工）・山本圭介（九大・産学連携センター）・王　冬（九大総理工）・中島　寛（九大・産学連携センター）

(3) 10:10 - 10:30
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
○鈴木陽洋・朝羽俊介・横井　淳・中塚　理・黒澤昌志・加藤公彦・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大）

(4) 10:30 - 10:50
金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討
○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大）

－－－　休憩　（ 15分 ）　－－－

(5) 11:05 - 11:25
Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御
○浅野孝典（名大）・田岡紀之（IHP Microelectronics）・中塚　理・財満鎭明（名大）

(6) 11:25 - 11:45
Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成
○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広大院先端）・大田晃生（名大）・花房宏明・東　清一郎（広大院先端）・宮崎誠一（名大）

(7) 11:45 - 12:05
ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価
○生田目俊秀・大井暁彦（物材機構）・伊藤和博・高橋　誠（阪大）・知京豊裕（物材機構）

(8) 12:05 - 12:25
Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性
○荒井　崇（名大）・大田晃生（名大VBL）・牧原克典・宮崎誠一（名大）

－－－　昼食　（ 60分 ）　－－－

(9) 13:25 - 13:45
p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成
○山下敦史・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）

(10) 13:45 - 14:05
第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察
○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈工）・白石賢二（名大）

(11) 14:05 - 14:25
ナノ構造中における電子輸送の理論的研究
○藤田弦暉・塩川太郎（筑波大）・高田幸宏（東京理科大）・小鍋　哲（筑波大）・村口正和（東北大）・山本貴博（東京理科大）・遠藤哲郎（東北大）・初貝安弘（筑波大）・白石賢二（名大）

－－－　休憩　（ 15分 ）　－－－

●14：40～17：35　新機能素子形成技術

(1) 14:40 - 15:00
［依頼講演］III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面の電子素子応用と光電変換素子応用
○冨岡克広（北大/JST）・福井孝志（北大）

(2) 15:00 - 15:20
［依頼講演］VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現
○矢嶋赳彬・二宮裕磨・西村知紀・長汐晃輔・鳥海　明（東大）

(3) 15:20 - 15:40
［依頼講演］ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価
○大田晃生・劉　冲・荒井　崇・竹内大智・張　海・牧原克典・宮崎誠一（名大）

(4) 15:40 - 16:00
［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性
○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大）

－－－　休憩　（ 15分 ）　－－－

(5) 16:15 - 16:35
［依頼講演］陽極酸化ポーラスアルミナを用いた抵抗変化メモリ
○高瀬浩一・谷本優輔（日大）・大塚慎太郎・清水智弘・新宮原正三（関西大）

(6) 16:35 - 16:55
［依頼講演］酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用
○鶴岡　徹・長谷川　剛（物材機構）

(7) 16:55 - 17:15
［依頼講演］絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成　～ 低融点Snの活用 ～
○黒澤昌志（名大/学振）・田岡紀之（IHP）・池上　浩（九大）・竹内和歌奈・坂下満男・中塚　理・財満鎭明（名大）

(8) 17:15 - 17:35
［依頼講演］4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違
○平井悠久（東大）・喜多浩之（東大/JST）