11月6日(木)

0. 10:00-10:05
オープニングトーク
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

座長 山川 真弥 <ソニー>

1. 10:05-10:30
非対称ダブル・ゲート横型トンネルFET の解析モデルの検討
呂 鴻飛1, 佐藤伸吾1, 大村泰久1, アブヒジット マリック2
<1 関西大, 2 カルカッタ大>

2. 10:30-10:55
Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFET の解析モデルの検討
大村泰久1, 佐藤伸吾1, アブヒジット マリック2
<1 関西大, 2 カルカッタ大>

3. 10:55-11:20
モンテカルロ法によるSiC への3 次元不純物イオン注入計算
岡本 稔, 清水 守, 大倉康幸, 山口 憲, 小池秀耀
<アドバンスソフト>

4. 11:20 -11:45
SiC パワーデバイス(DioMOS)のSPICE モデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～
山本哲也, 澤井徹郎, 堀川信之, 神澤好彦, 水谷研治, 大塚信之, 藤井英治
<パナソニック>

昼食 11:45-13:00

座長 国清 辰也 <ルネサスエレクトロニクス>

5. 13:00-13:50
[招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30 年間の進展 ～
執行直之
<東芝>

6. 13:50-14:40
[招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展
影島博之
<島根大>

7. 14:40-15:30
［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題
石原貴光, 安田直樹, 藤井章輔
<東芝>

11月7日(金)

座長 安斎 久浩 <ソニー>

8. 10:00-10:50
［招待講演］SISPAD 2014 レビュー
園田賢一郎
<ルネサスエレクトロニクス>

9. 10:50-11:15
半導体Si 結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
末岡浩治1, 神山栄治1, イアン ファンヘレモント2
<1 岡山県立大, 2 ゲント大>

10. 11:15-11:40
モンテカルロ法を用いたSi ダブルゲート構造MOSFET の準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭1, 石田良馬1, 鎌倉良成2, 森 伸也2, 宇野重康3, ・小川真人1
<1 神戸大, 2 阪大, 3 立命館大>

昼食 11:40-13:00

座長 小田 嘉則

11. 13:00-13:50
［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング
三木浩史
<日立>

12. 13:50-14:40
［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism
ChoongHyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi