第18回 研究集会
SiGe(C)を用いたSi系ヘテロ構造デバイスは、Siプロセスと整合する次世代の高速・高集積化デバイスとして期待されている。近年のエピタキシャル成長技術やヘテロ界面制御に関する理論的・実験的進歩と、歪緩和層成長技術、選択成長技術 、ドーピング技術などの要素技術の進展に伴って、デバイス化技術と材料物性・デバイス特性との相関が総合的に理解されつつある。また、これらの技術を基盤に 、MOSFET、MODFET、HBTや共鳴トンネルデバイスなどの様々高速デバイスへの実用化・応用研究が着実に拡大進展しつつある。このような状況をとらえ、今回の研究会では、原子層スケール成長制御、ヘテロ界面制御から、電子構造、デバイス化技術と応用デバイスに至る広範囲に至る研究の現状を含め、SiGe(C)の材料技術とデバイス技術の全体像を明らかにし、最近の展開と今後の展望を包括的に議論していく予定である。多方面の方々のご参加をお待ちします。
開催場所
東京農工大学工学部 １１号館５階 多目的会議室
（小金井市中町2-24-16、中央線東小金井駅南口から徒歩８分、武蔵小金井駅南口から徒歩１３分）| テーマ | SiGe(C)の材料技術とデバイス技術の新展開 |
|---|---|
| オーガナイザー | Si 新機能デバイス研究委員会 須田良幸（農工大）、財満鎮明（名大）、宮尾正信（九大） |
プログラム
１．はじめに 須田良幸（農工大工）＜10:00-10:10＞
２．(100)面上のSi/GeおよびGe/Si原子層ヘテロ成長 ＜10:10-10:35＞
池田圭司、柳瀬滋郎、菅原聡、内田恭敬*、松村正清（東工大工、*帝京科大理工）
３．Si/Ge界面制御と化学結合マニピュレーション ＜10:35-11:00＞
荻野俊郎、小林慶裕、住友弘二、Kuniyil Prabhakaran（NTT基礎研）
４．SiGe/Siヘテロ構造における固相成長 ＜11:00-11:25＞
山口伸也、中川清和、杉井信之、朴成基 （日立中研）、宮尾正信（九大院シス情）
５．SiGe固相エピタキシャル成長機構と歪緩和層の形成技術 ＜11:25-11:50＞
岡田昌久、鈴村功、池田浩也、酒井朗、財満鎭明*、安田幸夫（名大院工、*名大先端研）
６．UHV-CVDを用いたSi/SiGeの選択成長と潜伏時間制御 ＜13:20-13:45＞
酒井純朗、大石正人、人見聡、川島崇行、真白すぴか (アネルバ)
７．SiGeC混晶の第一原理計算による物性予測とイオン注入による実験 ＜13:45-14:10＞
大淵真理、倉田創、二木俊郎、杉山芳弘、粟野祐二、横山直樹（富士通研）
８．CVDSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御 ＜14:10-14:35＞
室田淳一、野田孝暁、李斗煥、沈玄永、櫻庭政夫、松浦孝（東北大通研）
９．UHV-CVD法によるナローバンドギャップSiGeC-HBT ＜14:35-15:00＞
高木剛、幸康一郎、豊田健治、神澤好彦、能澤克弥、斎藤徹、久保実（松下先端研）
１０．Si1-xGex/Si RTD と 熱分解法原子層スケール成長技術 ＜15:15-15:40＞
須田良幸（農工大工）、三木一司（電総研）
１１．バッファ層形成技術と電子デバイスへの応用 ＜15:40-16:05＞
白木靖寛、上野哲嗣、入沢寿史（東大先端研）
１２．ひずみシリコンのCMOS応用とひずみSOI MOS構造 ＜16:05-16:30＞
高木信一、杉山直治、水野智久、手塚勉、畠山哲夫、臼田宏治、黒部篤（東芝R&D）
１３．超高速SiGeHBTと光伝送用ICへの応用 ＜16:30-16:55＞
鷲尾勝由（日立中研）
懇親会 ＜17:00-18:30＞