2015年11月13日(金) 13:00-17:50
第186回 研究集会
開催場所
産総研 つくば中央 本部情報棟ネットワーク会議室
(〒305-8560 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第1 つくば本部・情報技術共同研究棟) http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html| テーマ | 金属酸化物の現状と最先端ナノデバイスへの展開 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2000円、非分科会員 4000円 |
| オーガナイザー | 寒川誠二（東北大）、水林亘（産総研）、遠藤和彦（産総研） |
プログラム
13:00～13:05 イントロダクション 寒川誠二（東北大）
13:05～13:50「High-k絶縁膜技術」 鳥海明（東大）
13:50～14:35「結晶酸化物のデバイス応用」 右田真司（産総研）
14:35～15:20「抵抗変化型不揮発性メモリReRAM：研究開発の最前線」秋永広幸（産総研）
15:20～15:30 休憩
15:30～16:15「原子スイッチ」大野武雄 (東北大)
16:15～17:00「Far Beyond CMOS:トポロジカルエレクトロニクスへ向けて」川﨑雅司（東大）
17:00～17:45「酸化物半導体技術」 池田圭司（東芝）
18:00～ 懇親会
終了後懇親会を行います。奮ってご参加ください（会費：別途）