平成27年1月22日(金) 10:00~17:00

第187回 研究集会

開催場所

東京大学山上会館

(〒113-8654 文京区本郷7-3-1) http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/map01_02_j.html
テーマ 配線・実装技術の新展開
参加費 応物会員 1,000円, 非会員 2,000円
担当 近藤英一 (山梨大学)
共催 公益社団法人 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ シリコン材料・デバイス研究会

プログラム

10:05 400万個のマイクロバンプ接続を有する1600画素3次元積層型イメージセンサの信頼性試験結果(招待講演)
○竹本良章・高澤直裕・月村光宏・齊藤晴久・近藤 亨・加藤秀樹・青木 潤・小林賢司・鈴木俊介・五味祐一・松田成介・只木芳隆(オリンパス)

10:40 常温12年応力変動の結果から、銅配線のStress Migration メカニズムの再考(招待講演)
○松山英也(ソシオネクスト)・鈴木貴志・中村友二(富士通研)・塩津基樹・江原英郎(三重富士通)

11:15 アミドネート1価Cu錯体を用いた超臨界流体中Cu堆積
○Md Rasadujjaman・渡邉満洋(山梨大)・須藤 弘・町田英明(気相成長)・近藤英一(山梨大)

11:35 BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ
○川上達也・近藤英一・渡邉満洋(山梨大)・濵田聡美・嶋 昇平・檜山浩國(荏原製作所)

13:00 低温作製された窒化物薄膜の特性(招待講演)
○武山真弓・佐藤 勝(北見工大)・中田義弘・小林靖志・中村友二(富士通研)・野矢 厚(北見工大)

13:35 ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価
○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚(北見工大)

13:55 高信頼性ULSI-Cu配線用PVD-Co(W)単層バリア/ライナー膜
○金泰雄・冨田皓太・百瀬健(東大院工)・角田隆明・森脇崇行・中川隆史(キヤノンアネルバ)・霜垣幸浩(東大院工)

14:15 電流印加した固相析出法によるグラフェン形成
○ウッディン MD サハブ・市川博康・佐野翔太(芝浦工大)・上野和良(芝浦工大/RCGI)

14:35 バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層DRAM向けのウエハ薄化評価結果(招待講演)
○Y. S. Kim・S. Kodama・Y. Mizushima・T. Nakamura・N. Maeda・K.Fujimoto(東工大)・A. Kawa(ディスコ)

15:25 Novel reconfigured wafer-to-wafer(W2W) hybrid bonding technology using ultra-high density nano-Cu filaments for exascale 2.5D/3D integration(招待講演)
○李 康旭・福島崇史・田中 徹・小柳光正(東北大)

16;00 2.5D/3D TSV用実装材料技術(招待講演)
○満倉一行・牧野竜也・畠山恵一(日立化成)・Kenneth June Rebibis・Andy Miller・Eric Beyne(IMEC)

16:35 印刷によるTSV形成技術の開発 ~ ナノ・ファンクション材料技術の展開 ~(招待講演)
○池田博明・関根重信・木村竜司・下川耕一・岡田圭二・進藤広明・大井達也・玉木玲衣(ナプラ)・永田 真(神戸大)

■なお、前日1月21日に同じく東大山上会館でアドメタシンポジウム(シリコンテクノロジー分科会共催)が開催されますので併せてご参加ください。
www.admeta.org■
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