2016年2月19日 13時より

第189回 研究集会

今年度、プラズマ応用に係わる国際学会であるAVS(米国真空学会)、DPS(ドライプロセスシンポジウム)、GEC(気体エレクトロニクス会議)で優れた発表をされた8名の研究者にご講演いただき、デバイスプロセスとプラズマ技術の最新動向を深く掘り下げて、有機的に議論する場を提供する。

開催場所

東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室

(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車) http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html
テーマ 微細加工プロセスの最前線
参加費 Siテクノロジー分科会会員 2000円,非会員 4000円
主催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協賛 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
企画 応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会
お問い合わせ先 東京大学大学院工学系研究科 一木 隆範

プログラム

開会 13:00

■特別講演■

13:10-13:50 林俊雄(名古屋大学)「計算化学の発展と応用について」

■プラズマプロセスの基礎解析■

13:50-14:20 中崎暢也(京都大学)「シースの制御と斜め入射イオンの解析」

14:20-14:50 岩尾俊彦(東京エレクトロン)「ALDプロセスのシミュレーション解析」

Coffee Break 14:50-15:10

15:10-15:40 岩瀬 拓(日立製作所)「多結晶Si/SiO2スタック構造の高アスペクト比加工における表面反応層の役割」

■超微細加工とALE■

15:40-16:10 三好信哉(日立製作所)「SiN加工のALE」

16:10-16:40 辻晃弘(東京エレクトロン)「SAC加工のALE」

16:40-17:00 総合討論

閉会

会議終了後 懇親会 (当日受付 参加費 2000円)

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