2016年2月27日(土) 13:00~17:30
第191回 研究集会
テーマ | 接合技術の新展開 |
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参加費 | Siテクノロジー分科会会員 2000円,非会員 4000円 |
オーガナイザー | 中島良樹(日新イオン), 伊藤裕之(AMAT), 山口直(ルネサス), 柴田聡(パナソニック) |
主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
企画 | シリコンテクノロジー分科会ナノ・接合技術研究会 |
お問い合わせ先 | パナソニック株式会社 先端研究本部 柴田聡 shibata.satoshi007@jp.panasonic.com |
プログラム
13:00 ~ 13:10
筒井一生様(東工大)開会の挨拶
13:10 ~ 13:40
若林整様(東工大)「高性能SoC向けCMOSデバイス技術動向と将来技術」
13:40 ~ 14:10
松波弘之様 「パワー半導体SiC技術の進展と今後」
14:10 ~ 14:40
寺部一弥様(NIMS)「固体内のイオン移動を利用した界面ナノアーキテクトニクス」
14:40 ~ 15:10
鵜野浩行様(住重試験検査㈱)
「高エネルギーイオンを用いた半導体製造技術-エネルギー範囲23MeVまでの水素、ヘリウムイオン-」
15:10 ~ 15:30 休憩
15:30 ~ 16:00
黒田理人様(東北大)「CMOSイメージセンサの高速化・高感度化・広光波長帯域化技術」
16:00 ~ 16:30
江利口浩二様、 斧高一様(京都大)
「プラズマプロセス誘起ダメージによるデバイス特性劣化の包括的モデル」
16:30 ~ 17:00
采山和弘様(サクラクレパス)
「プラズマインジケータの開発 ~プラズマ処理効果の可視化ツールを目指して~」
17:00 ~ 17:10 閉会の挨拶 水野文二(パナソニックFS、接合技術委員会委員長)
17:30 ~ 懇親会(当日受付)4000円 地中海バール“agmo” 宝塚大学すぐ横
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