13：00 ～ 13：10
筒井一生様（東工大）開会の挨拶

13：10 ～ 13：40
若林整様（東工大）「高性能SoC向けCMOSデバイス技術動向と将来技術」

13：40 ～ 14：10
松波弘之様　「パワー半導体SiC技術の進展と今後」

14：10 ～ 14：40
寺部一弥様（NIMS）「固体内のイオン移動を利用した界面ナノアーキテクトニクス」

14：40 ～ 15：10
鵜野浩行様（住重試験検査㈱）
「高エネルギーイオンを用いた半導体製造技術－エネルギー範囲23MeVまでの水素、ヘリウムイオン－」

15：10 ～ 15：30　休憩

15：30 ～ 16：00
黒田理人様（東北大）「CMOSイメージセンサの高速化・高感度化・広光波長帯域化技術」

16：00 ～ 16：30
江利口浩二様、　斧高一様（京都大）
「プラズマプロセス誘起ダメージによるデバイス特性劣化の包括的モデル」

16：30 ～ 17：00
采山和弘様（サクラクレパス）
「プラズマインジケータの開発　～プラズマ処理効果の可視化ツールを目指して～」

17：00 ～ 17：10　閉会の挨拶　水野文二（パナソニックFS、接合技術委員会委員長）

17：30 ～　懇親会（当日受付）4000円　地中海バール“agmo”　宝塚大学すぐ横