第194回 研究集会
開催場所
甲南大学ネットワークキャンパス東京 講義室
〒100-0005 東京都千代田区丸の内1丁目7-12 サピアタワー10FTEL：03-6266-9520 FAX：03-6266-9522
★研究集会開始時刻前(～10:00)及び昼食時間帯(11:30～13:00)は，サピアタワー3階の総合受付付近で寺内が受付を行ない，入館証をお渡しさせていただきます。それ以外の時間帯は，免許証等の本人確認できるものをご持参の上，サピアタワー3階の総合受付でご提示いただき，10階にお上がりください。 http://www.konan-u.ac.jp/tokyo/access/index.html
| テーマ | 先端デバイスプロセス技術（2016 VLSI Symposium特集） |
|---|---|
| 参加費 | Siテクノロジー分科会会員 2000円，非会員 4000円 |
| 担当 | 会場担当: 寺内衛 <甲南大学> |
| お問い合わせ先 | 甲南大学 寺内衛 E-mail. terauchi@ieee.org |
プログラム
(1) 10:00 - 10:30
EOTスケーリング及び量子井戸によるInGaAs TFETの性能向上
○安大煥, 池尚, 竹中充, 高木信一 (東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻，JST-CREST)
(2) 10:30 - 11:00
圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究
○柴山茂久，徐倫， *右田真司，鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻，*産総研)
(3) 11:00 - 11:30
薄膜HfO2を用いた強誘電トンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
○藤井章輔, 上牟田雄一, 井野恒洋, 高石理一郎, 中崎靖, 齋藤真澄 ((株)東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
昼食 11:30 - 13:00
(4) 13:00 - 13:30
2Xnm世代以降トランジスタ向けた，高速且つ低消費電力な1Xnmサイズの不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
○才田大輔，柏田沙織，矢ヶ部恵弥，大坊忠臣，伊藤順一，安部恵子，野口紘希，藤田忍，*福本三芳，*三輪真嗣，*鈴木義茂 ((株)東芝 研究開発センター，*大阪大学基礎工学研究科)
(5) 13:30 - 14:00
クロスバー型アンチフューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路
○安田心一，小田聖翔，松本麻里，辰村光介，財津光一郎，何英豪，小野瑞城 ((株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
(6) 14:00 - 14:30
最先端車載情報機器SoCのDVFS/AVS制御に適用した内蔵SRAMの電力削減方法
○新居浩二，薮内誠，石井雄一郎，*田中美紀，五十嵐満彦，*福岡一樹，田中信二 (ルネサスエレクトロニクス，*ルネサスシステムデザイン)
休憩 14:30 - 14:50
(7) 14:50 - 15:30
2016 Symposium on VLSI Technologyを振り返って
○昌原明植 (2016 Symposium on VLSI Technology Technical Program Co-Chair，産総研)
(10) 15:30 - 16:00
総合討論
以上