2017年2月17日(金) 13:00-17:30
第199回 研究集会
プラズマ応用に係わる国際学会であるAVS（米国真空学会）、DPS（ドライプロセスシンポジウム）等で優れた発表をされた7名の研究者にご講演いただき、デバイスプロセスとプラズマ技術の最新動向を深く掘り下げて、有機的に議論する場を提供する。
開催場所
東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室
（東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車） http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html| テーマ | 微細加工プロセスの最前線 |
|---|---|
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| 協賛 | 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 |
| 企画 | 応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会 |
| お問い合わせ先 | 東京大学大学院工学系研究科 一木 隆範 |
プログラム
（以下、敬称略）
開会 13:00
◆新しいプラズマプロセス
「ClF3-Ar 中性クラスタービームによる斜めパターンエッチング」瀬木利夫（京都大学）
「大電力熱プラズマジェットの生成とアモルファスSi膜結晶化への応用」中島涼介（広島大学）
◆特別講演
「ALE黎明期－デジタルエッチングとそのメカニズム」
森川泰宏（アルバック）、堀池靖浩（筑波大学）
◆ALE技術の最前線
「原子層堆積装置およびエッチング装置を組み合わせた極微細パターンニング形成技術の開発」木原嘉英（東京エレクトロン宮城）
「GaN /AlGaNの原子層エッチング」 ラムリサーチ 大場
「Formation and Desorption Processes of Surface Modified Layers for High-throughput Atomic Layer Etching of SiN」 三好信哉（日立製作所)
「A novel atomic layer etching of SiO2 with alternating O2 plasma with fluorocarbon film deposition」堤 隆嘉（名古屋大学）
総合討論（終了予定 17時30分）
会議終了後 懇親会(当日受付 参加費 2000円)