第2回 研究集会
サブ0.1μｍ デバイス時代の極薄ゲート酸化膜形成技術の一つとしてラジカル酸化を取り上げる。トランジスタゲート酸化膜は、ますます高い均一性・信頼性が要求される一方、直接トンネル電流さえ許容される状況にある。一方、その形成プロセスは、枚葉化あるいは低温化と変化の様相を示している。従来の熱酸化を中心に展開されているものの、さらなる品質向上およびプロセスの高速化を求めて、活性酸化種（ラジカル）を用いた酸化が注目されている。今回は、
１．なぜラジカル酸化なのか？
２．どのような使い方があるのか？
３．どのような酸化方法があるのか？
４．活性種はどのように供給できるのか？
５．基板との界面ではなにが起こるのか？
という、いずれもラジカル酸化の潜在能力を活用していく上でもっとも基本的な疑問に対して、講演およびパネル討論により、活発な議論が展開されるよう企画する。
| テーマ | ラジカル酸化 |
|---|---|
| オーガナイザー | 山部 紀久夫（筑波大学） |
プログラム
９：２０～９：３０
開会挨拶
筑波大学
山部紀久夫
９：３０～１０：２０
極薄シリコン酸化膜研究の課題
東北大学
大見忠弘、平山昌樹、海原竜、伊野和英
１０：３０～１１：１５
極薄シリコン酸化膜とシリコン表面
JRCAT
渡部平司、宮田典幸、市川昌和
１１：１５～１２：００
オゾン精製とオゾン酸化
電総研
一村信吾、黒河明、中村健
１３：１５～１３：４０
ラジカル酸化におけるSiO2/Si界面の平坦化
東芝
伊藤仁、長峰真、鳥海明
１３：４０～１４：０５
オゾン酸化
富士通研 中西俊郎、大久保聡、田村泰之、杉野林志、淡路直樹、高崎金剛
１４：０５～１４：３０
UV-O2酸化を用いたゲート酸化膜形成
三菱電機
寺本章伸、大野吉和、三好寛和
１４：３０～１４：５５
活性酸素原子を用いたシリコン基板の低温酸化とその界面特性
東京農工大学
上野智雄
１５：１０～１５：３５
酸素活性種を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成とゲート酸化膜への応用
奈良先端大学院大学、京都大学
冬木隆、二山拓也、森泉和也、植田康之、松波弘之
１５：３５～１６：００
シリコン酸化膜成長における窒素添加効果
室蘭工業大学
福田永、村井彰次、野村滋
１６：００～１６：２５
活性種による酸化機構
京都大学
立花明知
１６：２５～１７：３０
パネル討論
１７：３０～１９：３０
懇親会