２１日午後

１．SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
○竹村佳昭・長田健一・柳生正義・山口憲・牛尾二郎・丸泉琢也（日立）

２．クロストークノイズによる配線遅延の変動とノイズ波形のモデル化に関する検討
○佐藤高史（日立）

３．VLSI配線におけるインダクタンス抽出方法の提案とそれを用いた回路評価
○中島祐介・池田誠・浅田邦博（東大）

４．シュリンク設計向けクロック木生成
○井上浩明・枝廣正人（NEC）

５．A more accurate skew model for well-balanced H-tree clock distribution network
○Xiaohong Jiang, Susumu Horiguchi (JAIST)

６．統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
○木寺真琴・谷沢元昭・園田賢一郎・石川清志・小谷教彦・犬石昌秀 （三菱電機）

７．プロセス変動に起因した回路特性変動のワーストケース解析手法
○山口哲哉（東芝）

８．Parametric BSGを用いたデザイン再利用
○呉中林・坂主圭史・梶谷洋司（東京工業大）

９．境界線法を応用したコード表現による遺伝的フロアプラン手法
○高橋仁・金杉昭徳・大嶋健司（埼玉大）

２２日午前

１．微細MOSFETのスケーリング理論
○鈴木邦広（富士通研）

２．MOSFET開発におけるTCAD適用手法
○小松原弘毅・三浦規之・林洋一・福田浩一・谷島 司・吉田匡宏（沖電気）・若山恵一（宮城沖電気）・西谷明人（沖電気）・長友良樹（宮城沖電気）

３．TCADを用いた統計的手法による0.12μCMOSデバイスの設計
○福田智之（日立）

４．'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
○船越七郎・寺内衛・寺田和夫（広島市立大）

５．advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上
○田中克彦・野津明男・羽根正巳（NEC）

２２日午後

６．[招待講演] 100nmに向けたModeling & Simulationの挑戦
○小谷教彦（三菱電機）

７．濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
○松沢一也・高木信一・高柳万里子・谷本弘吉（東芝）

８．量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイス・シミュレーション
○花尻達郎・新里昌弘・鳥谷部達・菅野卓雄（東洋大）・斉藤晶・赤木与志郎（シャープ）

９．Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する弾道輸送キャリアの寄与
○岡垣健・田中聖康・上野弘明・三浦道子（広島大）

10．ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
○渡辺浩志・高木信一（東芝）

11．酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
○江崎達也・山本豊二・中里博紀・羽根正巳（NEC）

12．ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーションによるメカニズムの検討
○小宮健治・大村泰久（関西大）