シリコン単結晶成長では、p型／n型の電気的特性を決めるドーパント不純物はさることながら、結晶成長プロセスで混入する酸素および炭素不純物の濃度も精密に制御されており、そのうえで点欠陥制御およびそれに関連する二次欠陥の制御や解析が可能となっています。これにより、シリコンは精密な内因性・外因性点欠陥制御がなされた「超高品質状態」を維持しての結晶の大口径化を可能とし、それらが超LSI製造の大量生産を実現しています。今後、IoT関連等で必要とされる高性能半導体デバイスを実現するためには、これを支えるシリコンテクノロジーのさらなる発展も非常に重要であると考えられます。現在もそのための研究開発が盛んに行われており、微量不純物の超精密制御、その評価方法や新規電気的特性評価技術の確立、新技術の探索が求められています。今回の応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第200回研究集会では、「シリコン結晶中の微量不純物およびキャリア寿命評価に関する新展開」と題して、結晶成長からデバイスプロセスに至るまでの領域の上記課題に関わる学術機関、シリコンおよびデバイスメーカーの研究者6名の方々に、最新の成果をご紹介いただきます。本研究集会を通じて、シリコン結晶中の微量不純物の評価技術の重要性を学び次世代半導体デバイス対応のシリコンナノテクノロジーの展望についての活発な議論を期待しています。多くの方々のご参加をお待ちしております。