(1)13:00-13:20
［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体
○岡田　豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大）

(2)13:20-13:40
［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ～ 半導体で素粒子・X線を見る ～
○新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）

(3)13:40-14:00
依頼講演］皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体ガスセンサの研究
○山田祐樹・檜山　聡（NTTドコモ）・田畑　仁（東大）

(4)14:00-14:20
［依頼講演］ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術
○岩崎孝之・波多野睦子（東工大）

14:20-14:35 休憩　（ 15分 ）

(5)14:35-14:55
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）

(6)14:55-15:15
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）

(7)15:15-15:35
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
○高山留美・星井拓也（東工大）・中島　昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林　整・筒井一生（東工大）

(8)15:35-15:55
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
○川那子高暢・居駒　遼・高木寛之・小田俊理（東工大）

15:55-16:10 休憩　（ 15分 ）

(9)16:10-16:30
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
○松浦賢太朗・大橋　匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林　整（東工大）

(10)16:30-16:50
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価
○金田裕一・池　進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚　理・財満鎭明（名大）

(11)16:50-17:10
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）