2017年 6月20日(火) 13:00~17:10

第201回 研究集会

開催場所

キャンパス・イノベーションセンター東京
詳細URL:http://www.cictokyo.jp/access.html

〒108-0023 東京都港区芝浦3-3-6

テーマ ゲートスタック技術の進展ー半導体技術のセンサ応用
参加費 分科会員 1,500円
非分科会員 2,000円
オーガナイザー 角嶋邦之(東京工業大学)、蓮沼隆(筑波大学)
共催 電子情報通信学会SDM

プログラム

(1)13:00-13:20
[依頼講演]シンチレータとGa2O3半導体
○岡田 豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之(奈良先端大)

(2)13:20-13:40
[依頼講演]SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ~ 半導体で素粒子・X線を見る ~
○新井康夫(高エネルギー加速器研究機構)

(3)13:40-14:00
依頼講演]皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体ガスセンサの研究
○山田祐樹・檜山 聡(NTTドコモ)・田畑 仁(東大)

(4)14:00-14:20
[依頼講演]ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術
○岩崎孝之・波多野睦子(東工大)

14:20-14:35 休憩 ( 15分 )

(5)14:35-14:55
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一(名大)

(6)14:55-15:15
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価
○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一(名大)

(7)15:15-15:35
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
○高山留美・星井拓也(東工大)・中島 昭(産総研)・西澤伸一(九大)・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生(東工大)

(8)15:35-15:55
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
○川那子高暢・居駒 遼・高木寛之・小田俊理(東工大)

15:55-16:10 休憩 ( 15分 )

(9)16:10-16:30
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
○松浦賢太朗・大橋 匠・宗田伊理也(東工大)・石原聖也(明大)・角嶋邦之・筒井一生(東工大)・小椋厚志(明大)・若林 整(東工大)

(10)16:30-16:50
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価
○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明(名大)

(11)16:50-17:10
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一(名大)

このページの上部へ