半導体デバイスの研究開発において，構造，材料の変革が進んでいます。ロジックLSIでは，FIN構造やナノワイヤ型に代表される立体構造や新しい高移動度チャネル材料を用いたトランジスタ開発が活発に進められています。パワーデバイスにおいては，SiCやGaNデバイスの開発が進み，新しい展開が始まっています。これら様々なデバイスで性能の鍵を握るのが界面テクノロジーです。異種材料界面の科学的な理解はデバイス研究開発に不可欠なものとなっています。本研究会は産･官･学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し，本分野の発展に貢献することを目的としています。本研究会は１９９６年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，前々回より一層スコープを広げ，新たな名称のもとスタートしました。国内外からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表とポスター発表を広く募集して開催します。さらに研究会前日にはチュートリアルを開催します。奮ってご参加下さい。