2018年2月9日(金) 13:00～17:00
第206回 研究集会
2017年もDPS（ドライプロセスシンポジウム）, AVS（米国真空学会）等において数多くのプラズマプロセスに関する研究の成果が発表されました。恒例となりましたが, 本研究会ではこうした最新の成果を各分野の第一線でご活躍の研究者の皆様に改めてご発表頂き、活発な討論を通じて, 次世代プラズマプロセス技術の方向性を共有する場を提供させていただきます。
開催場所
東京大学浅野キャンパス工学部9号館大会議室
東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車 http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html| テーマ | デバイスプロセスとシミュレーション |
|---|---|
| 参加費 | 会員2,000円, 非会員4,000円, 学生2,000円 |
| 担当 | 木下啓蔵(PETRA) 一木隆範(東大) |
| 主催 | ナノ・マイクロファブリケーション委員 |
プログラム
13:00-13:10 開会挨拶
PETRA 木下 啓蔵（ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会委員長）
◆基調講演
13:10-14:00
プラズマプロセスにおける欠陥形成過程のモデリングと予測
京都大学 江利口 浩二
◆シミュレーションによる表面過程の理解
14：00-14:30
SiO２のAtomic Layer Etching (ALE) に関する分子動力学シミュレーション
大阪大学 岡田 裕貴, 礒部 倫郎, 伊藤 智子, 唐橋 一浩, 浜口 智志
14:30-15:00
プラズマエッチングにおける表面ナノ周期構造の形成
大阪大学 斧 高一
（休憩）
◆エッチングプロセスにおけるシミュレーション技術の実際
15：20-15:50
エッチング特性およびその変動の予測技術について
ソニーセミコンダクタソリューションズ 辰巳 哲也
15:50-16:20
3次元形状シミュレーションによる高アスペクトRIEのモデリングとレイアウト最適化
東芝メモリ 市川 尚志, 八木 澤卓, 古川 伸一, 田口 尚文 ,野嶋 茂樹, 村上 貞俊, 玉置 直樹
16:20-16:50
エッチングレシピ開発への機械学習適用
日立製作所 大森健史、中田百科、石川昌義、小藤直行、臼井建人、栗原優
16:50-17:00 総合討論
研究会終了後 懇親会
PETRA 木下 啓蔵（ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会委員長）
◆基調講演
13:10-14:00
プラズマプロセスにおける欠陥形成過程のモデリングと予測
京都大学 江利口 浩二
◆シミュレーションによる表面過程の理解
14：00-14:30
SiO２のAtomic Layer Etching (ALE) に関する分子動力学シミュレーション
大阪大学 岡田 裕貴, 礒部 倫郎, 伊藤 智子, 唐橋 一浩, 浜口 智志
14:30-15:00
プラズマエッチングにおける表面ナノ周期構造の形成
大阪大学 斧 高一
（休憩）
◆エッチングプロセスにおけるシミュレーション技術の実際
15：20-15:50
エッチング特性およびその変動の予測技術について
ソニーセミコンダクタソリューションズ 辰巳 哲也
15:50-16:20
3次元形状シミュレーションによる高アスペクトRIEのモデリングとレイアウト最適化
東芝メモリ 市川 尚志, 八木 澤卓, 古川 伸一, 田口 尚文 ,野嶋 茂樹, 村上 貞俊, 玉置 直樹
16:20-16:50
エッチングレシピ開発への機械学習適用
日立製作所 大森健史、中田百科、石川昌義、小藤直行、臼井建人、栗原優
16:50-17:00 総合討論
研究会終了後 懇親会
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