2018年5月25日(金) 13:30~17:45

第207回 研究集会

 半導体デバイスの高集積化を目的とした微細化や構造変化により、動作に使用される信号量が非常に小さくなってきております。このような変化が進む中で、デバイス動作の信頼性や性能をより安定的に向上させていくためには、バルクだけでなく、シリコン表面、酸化膜、およびその界面における微量の不純物や、微小な欠陥およびパーティクル等の影響を明らかにし、高精度に制御していくことが重要なものと考えられます。
 シリコン表面、酸化膜、およびその界面の制御に関しては、これまでもMOSデバイスの中心課題の一つとして取り組まれてきましたが、物理的限界に近づいたnm世代のデバイス開発においては、これらに対応する評価、シミュレーション、およびプロセス等に関する技術を確立するためのブレークスルーがそれぞれ望まれております。
 今回の応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第207回研究集会では、「シリコン表面および酸化膜界面特性の新世代への探求」と題して、シリコンウェーハのからデバイスプロセスに至るまでの領域の上記課題に関わる学術機関、および企業の研究者6名の方々に研究成果をご紹介いただきます。本研究集会を通じて、近年におけるシリコン表面、酸化膜、およびその界面の制御に関する重要性や取り組みについて学び、次世代半導体デバイスに対応するシリコンナノテクノロジーの展望に関して活発に議論できることを期待しております。多くの方々のご参加をお待ちしております。

開催場所

学習院大学 中央教育棟12階 国際会議場

JR山手線「目白」駅下車 徒歩30秒、 東京メトロ副都心線「雑司ヶ谷」駅下車 徒歩7分 、 都電荒川線「学習院下」「鬼子母神前」駅も利用可 http://www.univ.gakushuin.ac.jp/access.html
テーマ シリコン表面および酸化膜界面特性の新世代への探求
参加費 分科会会員2,000円,応物・協賛学会会員2,000円,その他4,000円
担当 荒木浩司(グローバルウェーハズ・ジャパン)
太子敏則(信州大)
主催 表面・界面・シリコン材料研究委員会
お問い合わせ先 問合せ先:
太子 敏則(信州大)
TEL: 026-269-5383
e-mail:taishi@shinshu-u. ac.jp

荒木 浩司(グローバルウェーハズ・ジャパン)
TEL:025-256-3214
e-mail: Koji_Araki@sas-globalwafers.co.jp

プログラム

はじめに (13:30--13:35)

(1) 13:35--14:15
「共鳴核反応法を用いた水素起因ゲート絶縁膜劣化の観測」
○三谷 祐一郎、東悠介、高石理一郎、鈴木正道、中崎靖、富田充裕(東芝メモリ)
松本益明、加藤弘一、小倉正平、福谷克之(東京大学)

(2) 14:15--14:55
「Deal-Groveモデル再考」
○渡邉 孝信(早稲田大学)

(3) 14:55--15:35
「SiO2/Si基板界面の評価技術」
○関 洋文(東レリサーチセンター)

休憩(15:35--15:45)

(4) 15:45--16:25
「先端シリコンウェーハ開発・生産に求められる欠陥検出ソリューション(仮題)」
○鍋田 宏康(ケーエルエー・テンコール)

(5) 16:25--17:05
「ミリ秒オーダのフラッシュランプアニール(FLA)装置による残留欠陥の回復」
○上田 晃頌(SCREENホールディングス)

(6) 17:05--17:45
「Ar/H2熱処理によるSi基板表面平坦化とデバイス応用」
○大見 俊一郎、石松慎、堀内勇介、工藤聡也(東京工業大学)

閉会にあたって (17:45--17:50)

終了後、懇親会: (18:10--20:00) 学習院大学内学生食堂.参加費3,000円
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