半導体デバイスの高集積化を目的とした微細化や構造変化により、動作に使用される信号量が非常に小さくなってきております。このような変化が進む中で、デバイス動作の信頼性や性能をより安定的に向上させていくためには、バルクだけでなく、シリコン表面、酸化膜、およびその界面における微量の不純物や、微小な欠陥およびパーティクル等の影響を明らかにし、高精度に制御していくことが重要なものと考えられます。
　シリコン表面、酸化膜、およびその界面の制御に関しては、これまでもMOSデバイスの中心課題の一つとして取り組まれてきましたが、物理的限界に近づいたnm世代のデバイス開発においては、これらに対応する評価、シミュレーション、およびプロセス等に関する技術を確立するためのブレークスルーがそれぞれ望まれております。
　今回の応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第207回研究集会では、「シリコン表面および酸化膜界面特性の新世代への探求」と題して、シリコンウェーハからデバイスプロセスに至るまでの領域の上記課題に関わる学術機関、および企業の研究者6名の方々に研究成果をご紹介いただきます。本研究集会を通じて、近年におけるシリコン表面、酸化膜、およびその界面の制御に関する重要性や取り組みについて学び、次世代半導体デバイスに対応するシリコンナノテクノロジーの展望に関して活発に議論できることを期待しております。多くの方々のご参加をお待ちしております。