(1)11:00-11:20
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
○出来真斗,安藤悠人,渡邉浩崇,田中敦之,久志本真希,本田善央,天野　浩　<名大>

(2)11:20-11:40
ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO₂/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン1,2, ○田岡紀之1, 大田晃生2, 山田　永1, 高橋言緒1, 池田弥央2, 牧原克典2, 清水三聡1,2, 宮崎誠一1,2　 <1.AIST-NU GaN-OIL, 2.名大>

(3)11:40-12:00
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO₂/GaN界面制御
○細井卓治1,山田高寛1,野崎幹人1,高橋言諸2,山田　永2,清水三聡2,吉越章隆3,志村考功1,渡部平司1 <1.阪大，2.産総研，3.原子力機構>

(4)12:00-12:20
n-GaN自然酸化膜界面層がAl₂O₃/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果
○弓削雅津也1,生田目俊秀2,色川芳宏2,大井暁彦2,池田直樹2,サン リウエン2,小出康夫2,大石知司1　<1.芝浦工大，2.物質・材料研究機構>

12:20-13:30　　昼食（ 70分 ）

(5)13:30-14:00
［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～
○松本　翼1,加藤宙光2,牧野俊晴2,小倉政彦2,竹内大輔2,猪熊孝夫1,山崎　聡2,徳田規夫1　<1.金沢大，2.産総研>

(6)14:00-14:30
［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展
○川原田　洋,大井信敬,畢特,今西祥一朗,岩瀧雅幸,矢部太一,平岩　篤　<早大>

(7)14:30-15:00
［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質
○加藤有香子1,滝沢耕平2,牧野俊晴1,加藤宙光1,小倉政彦1,竹内大輔1,山崎　聡1,野平博司2　<1.産総研，2.東京都市大>

15:00-15:15　　休憩（ 15分 ）

(8)15:15-15:35
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO₂/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
○松田亮平1,大田晃生1,田岡紀之2，池田弥央1,牧原克典1,清水三聡2，宮崎誠一1　<1.名大，2.AIST-NU GaN-OIL>

(9)15:35-15:55
酸素ラジカル照射によるAl₂O₃/SiC MOS界面の改質効果
○土井拓馬1,2,竹内和歌奈1,3,坂下満男1,田岡紀之2,中塚　理1,財満鎭明1　<1.名大，2. AIST-NU GaN-OIL ，3.愛知工大>

(10)15:55-16:15　
第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討
○野原弘晶,白川裕規,洗平昌晃,白石賢二　<名大>

(11)16:15-16:35
HfO₂系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
○右田真司1,太田裕之1,鳥海　明2　<1.産総研，2.東大>

(12)16:35-16:55
X線光電子分光法によるY₂O₃/SiO₂界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸,○大田晃生,池田弥央,牧原克典,宮崎誠一　<名大>