2018年6月25日(月) 11:00-16:55
第208回 研究集会
皆様のご参加お待ちしております。
開催場所
名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー 3階ベンチャーホール
〒464-0814 名古屋市千種区不老町B2-4 http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html| テーマ | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員1,500円，応物・協賛学会会員2,000円，その他4,000円 |
| 担当 | 蓮沼 隆（筑波大） 野平博司（東京都市大） |
| 主催 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
| 協賛 | 応用物理学会 東海支部 |
プログラム
(1)11:00-11:20
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
○出来真斗,安藤悠人,渡邉浩崇,田中敦之,久志本真希,本田善央,天野 浩 <名大>
(2)11:20-11:40
ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン1,2, ○田岡紀之1, 大田晃生2, 山田 永1, 高橋言緒1, 池田弥央2, 牧原克典2, 清水三聡1,2, 宮崎誠一1,2 <1.AIST-NU GaN-OIL, 2.名大>
(3)11:40-12:00
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
○細井卓治1,山田高寛1,野崎幹人1,高橋言諸2,山田 永2,清水三聡2,吉越章隆3,志村考功1,渡部平司1 <1.阪大，2.産総研，3.原子力機構>
(4)12:00-12:20
n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果
○弓削雅津也1,生田目俊秀2,色川芳宏2,大井暁彦2,池田直樹2,サン リウエン2,小出康夫2,大石知司1 <1.芝浦工大，2.物質・材料研究機構>
12:20-13:30 昼食（ 70分 ）
(5)13:30-14:00
［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～
○松本 翼1,加藤宙光2,牧野俊晴2,小倉政彦2,竹内大輔2,猪熊孝夫1,山崎 聡2,徳田規夫1 <1.金沢大，2.産総研>
(6)14:00-14:30
［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展
○川原田 洋,大井信敬,畢特,今西祥一朗,岩瀧雅幸,矢部太一,平岩 篤 <早大>
(7)14:30-15:00
［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質
○加藤有香子1,滝沢耕平2,牧野俊晴1,加藤宙光1,小倉政彦1,竹内大輔1,山崎 聡1,野平博司2 <1.産総研，2.東京都市大>
15:00-15:15 休憩（ 15分 ）
(8)15:15-15:35
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
○松田亮平1,大田晃生1,田岡紀之2，池田弥央1,牧原克典1,清水三聡2，宮崎誠一1 <1.名大，2.AIST-NU GaN-OIL>
(9)15:35-15:55
酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果
○土井拓馬1,2,竹内和歌奈1,3,坂下満男1,田岡紀之2,中塚 理1,財満鎭明1 <1.名大，2. AIST-NU GaN-OIL ，3.愛知工大>
(10)15:55-16:15
第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討
○野原弘晶,白川裕規,洗平昌晃,白石賢二 <名大>
(11)16:15-16:35
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
○右田真司1,太田裕之1,鳥海 明2 <1.産総研，2.東大>
(12)16:35-16:55
X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸,○大田晃生,池田弥央,牧原克典,宮崎誠一 <名大>
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
○出来真斗,安藤悠人,渡邉浩崇,田中敦之,久志本真希,本田善央,天野 浩 <名大>
(2)11:20-11:40
ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン1,2, ○田岡紀之1, 大田晃生2, 山田 永1, 高橋言緒1, 池田弥央2, 牧原克典2, 清水三聡1,2, 宮崎誠一1,2 <1.AIST-NU GaN-OIL, 2.名大>
(3)11:40-12:00
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
○細井卓治1,山田高寛1,野崎幹人1,高橋言諸2,山田 永2,清水三聡2,吉越章隆3,志村考功1,渡部平司1 <1.阪大，2.産総研，3.原子力機構>
(4)12:00-12:20
n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果
○弓削雅津也1,生田目俊秀2,色川芳宏2,大井暁彦2,池田直樹2,サン リウエン2,小出康夫2,大石知司1 <1.芝浦工大，2.物質・材料研究機構>
12:20-13:30 昼食（ 70分 ）
(5)13:30-14:00
［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～
○松本 翼1,加藤宙光2,牧野俊晴2,小倉政彦2,竹内大輔2,猪熊孝夫1,山崎 聡2,徳田規夫1 <1.金沢大，2.産総研>
(6)14:00-14:30
［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展
○川原田 洋,大井信敬,畢特,今西祥一朗,岩瀧雅幸,矢部太一,平岩 篤 <早大>
(7)14:30-15:00
［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質
○加藤有香子1,滝沢耕平2,牧野俊晴1,加藤宙光1,小倉政彦1,竹内大輔1,山崎 聡1,野平博司2 <1.産総研，2.東京都市大>
15:00-15:15 休憩（ 15分 ）
(8)15:15-15:35
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
○松田亮平1,大田晃生1,田岡紀之2，池田弥央1,牧原克典1,清水三聡2，宮崎誠一1 <1.名大，2.AIST-NU GaN-OIL>
(9)15:35-15:55
酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果
○土井拓馬1,2,竹内和歌奈1,3,坂下満男1,田岡紀之2,中塚 理1,財満鎭明1 <1.名大，2. AIST-NU GaN-OIL ，3.愛知工大>
(10)15:55-16:15
第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討
○野原弘晶,白川裕規,洗平昌晃,白石賢二 <名大>
(11)16:15-16:35
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
○右田真司1,太田裕之1,鳥海 明2 <1.産総研，2.東大>
(12)16:35-16:55
X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸,○大田晃生,池田弥央,牧原克典,宮崎誠一 <名大>
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