講演時間：２０分　質疑応答：５分

１０：１０－１０：３５
電流加熱法による多結晶シリコン薄膜の形成
東京農工大：安藤伸行、高橋宏幸、福田健太郎、毛利敏男、鮫島俊之

１０：３５－１１：００
位相制御ELA法を用いた2次元位置制御Si大結晶粒の形成
東京工業大学：中田充、松村正清

１１：１５－１１：４０
張り合わせSOI構造における極薄Si層の熱凝集現象
静岡大学：田部道晴、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦

１１：４０－１２：０５
Si(111)-7x7表面の水素化過程におけるin-situESR観察
JRCAT-ATP、JRCAT融合研＊、図書館情報大学＊＊：二子渉、安田哲二＊、磯谷順一＊,＊＊、山崎聡＊

１２：０５－１２：３０
有機シラン法による界面バッファ層を用いたSi上３C-SiC GSMBE
東北大学：中澤日出樹、末光眞希

１３：３０－１３：５５
XPS時間依存測定法によるラジカル（Kr/O2）酸化膜中電荷トラップの解析
文部省宇宙科学研究所、武蔵工業大学＊、東北大学＊＊：廣瀬和幸、坂野公彦＊、高橋健介＊、野平博司＊、大見忠弘＊＊、服部健雄＊

１３：５５－１４：２０
MOSFETしきい値電圧抽出方法の比較
広島市立大学：寺田和夫、西山勝彦、畠中啓一

１４：２０－１４：４５
薄いゲート絶縁膜を持つ素子でのGate Induced Drain Leakage Currentに起因したトランジスタ特性劣化の解析
三菱電機：上野修一、佃栄次、黒井隆、井上靖朗、犬石昌秀

１５：００－１５：２５
電荷誘引型信号伝達（CIST）回路の動作信頼性
東京農工大学：山村耕一郎、須田良幸

１５：２５－１５：５０
PE-TEOS CVD工程におけるゲート酸化膜ダメージの発生機構
三洋電機(株)：平瀬征基、実沢佳居、井上恭典

１５：５０－１６：１５
低誘電率・高熱伝導率有機シリカ膜
東京工業大学、武蔵工業大学＊：宇佐美浩一、菅原聡、角谷知浩＊、服部健雄＊、松村正清