2018年8月30日(木) 13:00-16:40
第210回 研究集会
皆様のご参加お待ちしております。
開催場所
甲南大学ネットワークキャンパス東京(東京駅直結サピアタワー)
JR東京駅「日本橋口」から徒歩1分、「八重洲北口」からは徒歩2分 地下鉄の場合は大手町駅を出て「B7」出口に向かってお越しください。サピアタワー直結の出口となります。 http://www.konan-u.ac.jp/tokyo/access/index.html| テーマ | 先端CMOSデバイス・プロセス特集 |
|---|---|
| 参加費 | 応物会員・シリテク分科会会員2,000円，その他4,000円 |
| 主催 | ULSIデバイス研究委員会 |
プログラム
13:00 – 13:30
チャネル形成技術の高度化による極薄GeOI pMOSFETsの性能向上
W. H. Chang 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
13:30 – 14:00
ミニマルファブを活用した1kトランジスタレベルの集積化及びCMOS-MEMS融合デバイスの開発
柳 永勛 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
14:00 – 14:30
MFMIS構造を有するHfO2系強誘電体ゲート型トランジスタの低電圧動作
右田真司 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
休憩 (14:30 – 14:40)
14:40 – 15:10
相転移材料の熱自由度を利用した低消費電力アナログスパイク処理
矢嶋赳彬 東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻
15:10 – 15:40
28nmノードの不揮発性プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発
根橋竜介 NECシステムプラットフォーム研究所
15:40 – 16:10
CMOS-VLSI技術を応用した10μW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発
富田基裕 早稲田大学先進理工学部 ナノ理工学専攻
16:10 – 16:40
VLSIシンポジウム2018を振り返って
昌原明植 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
チャネル形成技術の高度化による極薄GeOI pMOSFETsの性能向上
W. H. Chang 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
13:30 – 14:00
ミニマルファブを活用した1kトランジスタレベルの集積化及びCMOS-MEMS融合デバイスの開発
柳 永勛 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
14:00 – 14:30
MFMIS構造を有するHfO2系強誘電体ゲート型トランジスタの低電圧動作
右田真司 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
休憩 (14:30 – 14:40)
14:40 – 15:10
相転移材料の熱自由度を利用した低消費電力アナログスパイク処理
矢嶋赳彬 東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻
15:10 – 15:40
28nmノードの不揮発性プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発
根橋竜介 NECシステムプラットフォーム研究所
15:40 – 16:10
CMOS-VLSI技術を応用した10μW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発
富田基裕 早稲田大学先進理工学部 ナノ理工学専攻
16:10 – 16:40
VLSIシンポジウム2018を振り返って
昌原明植 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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