2018年11月8日(木)～9日(金)
第211回 研究集会
皆様のご参加お待ちしております。
開催場所
機械振興会館 地下3F B3-2会議室
東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分． http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員2,000円，その他4,000円 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM) |
プログラム
11月8日(木) 午前 （09：20～12：20）
(1) 09:20 - 10:20
［招待講演］SISPAD 2018レビュー
○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）
(2) 10:20 - 11:20
［招待講演］電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用
○内田 建（東大）・田中貴久（慶大）
(3) 11:20 - 12:20
［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大）
－－－ 昼食 （ 70分 ） －－－
11月8日(木) 午後 （13：30～15：30）
(4) 13:30 - 14:30
［招待講演］先端半導体素子信頼性のデバイスシミュレーション
○石原貴光・松澤一也・内藤 毅・吉富貞幸（東芝メモリ）
(5) 14:30 - 15:30
［招待講演］原子配列の秩序性に基づく多結晶金属材料強度評価技術の開発とめっき銅薄膜への応用
○鈴木 研・羅 軼凡・三浦英生（東北大）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
11月8日(木) 午後 （15：40～16：40）
(6) 15:40 - 16:40
［招待講演］高精細CMOSイオンイメージセンサと生命科学への展開
○澤田和明・李 宥奈・木村安行・岩田達哉・髙橋一浩・服部敏明（豊橋技科大）
11月9日(金) 午前 （09：20～12：20）
(7) 09:20 - 10:20
［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション
○望月和浩・紀 世陽・小杉亮治・米澤喜幸・奥村 元（産総研）
(8) 10:20 - 11:20
［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
○田中 一・森 伸也（阪大）
(9) 11:20 - 12:20
［招待講演］非晶質有機薄膜中での電荷輸送解析
○梶 弘典（京大）
－－－ 昼食 （ 60分 ） －－－
11月9日(金) 午後 （13：20～15：20）
(10) 13:20 - 14:20
［招待講演］半導体技術にもとづくセンサーデバイス研究の動向
～ SISPAD2017ワークショップ"Technologies for Sensor Device"レビューを中心に ～
○宇野重康（立命館大）
(11) 14:20 - 15:20
［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
11月9日(金) 午後 （15：30～16：45）
(12) 15:30 - 15:55
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい再構成可能な積層型論理回路の研究
○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大）
(13) 15:55 - 16:35
［招待講演］急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・ 石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
以上
(1) 09:20 - 10:20
［招待講演］SISPAD 2018レビュー
○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）
(2) 10:20 - 11:20
［招待講演］電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用
○内田 建（東大）・田中貴久（慶大）
(3) 11:20 - 12:20
［招待講演］酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大）
－－－ 昼食 （ 70分 ） －－－
11月8日(木) 午後 （13：30～15：30）
(4) 13:30 - 14:30
［招待講演］先端半導体素子信頼性のデバイスシミュレーション
○石原貴光・松澤一也・内藤 毅・吉富貞幸（東芝メモリ）
(5) 14:30 - 15:30
［招待講演］原子配列の秩序性に基づく多結晶金属材料強度評価技術の開発とめっき銅薄膜への応用
○鈴木 研・羅 軼凡・三浦英生（東北大）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
11月8日(木) 午後 （15：40～16：40）
(6) 15:40 - 16:40
［招待講演］高精細CMOSイオンイメージセンサと生命科学への展開
○澤田和明・李 宥奈・木村安行・岩田達哉・髙橋一浩・服部敏明（豊橋技科大）
11月9日(金) 午前 （09：20～12：20）
(7) 09:20 - 10:20
［招待講演］4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション
○望月和浩・紀 世陽・小杉亮治・米澤喜幸・奥村 元（産総研）
(8) 10:20 - 11:20
［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
○田中 一・森 伸也（阪大）
(9) 11:20 - 12:20
［招待講演］非晶質有機薄膜中での電荷輸送解析
○梶 弘典（京大）
－－－ 昼食 （ 60分 ） －－－
11月9日(金) 午後 （13：20～15：20）
(10) 13:20 - 14:20
［招待講演］半導体技術にもとづくセンサーデバイス研究の動向
～ SISPAD2017ワークショップ"Technologies for Sensor Device"レビューを中心に ～
○宇野重康（立命館大）
(11) 14:20 - 15:20
［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研）
－－－ 休憩 （ 10分 ） －－－
11月9日(金) 午後 （15：30～16：45）
(12) 15:30 - 15:55
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい再構成可能な積層型論理回路の研究
○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大）
(13) 15:55 - 16:35
［招待講演］急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・ 石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
以上