2019年2月8日(金) 13:00－17:05
第215回 研究集会
2018年も40th DPS（ドライプロセス国際シンポジウム）、65th AVS（米国真空学会）等において数多くのプラズマプロセスに関する研究の成果が発表されました。本研究会ではこうした最新の成果を各分野の第一線でご活躍の研究者の皆様に改めてご発表頂き、活発な討論を通じて次世代プロセス技術の方向性を共有する場を企画します。
| テーマ | ドライエッチング技術のChallenge |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員2,000円、一般4,000円、学生2,000円 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| 協賛 | 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 |
| 企画 | 応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会 |
プログラム
13:00-13:05 開会挨拶 アイオーコア 木下 啓藏（委員長）
◆ 基調講演
13:05-13:45 フッ素を含む分子イオンによるエッチング反応
大阪大学 唐橋 一浩
◆ エッチングとイオン種
13:45-14:15 過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討
京都大学 濱野 誉
14:15-14:45 フルオロカーボンガスを用いた２周波容量結合型パルスプラズマにおける粒子密度のDC重畳効果
名古屋大学 中根 一也
（休憩）
◆ ホールエッチング
15：00-15:30 高アスペクト比ホールエッチングにおけるstriationの発生メカニズム
東芝メモリ 大村 光広
15:30-16:00 積層膜加工に向けた高アスペクト比構造内のN2/HBrプラズマによる臭化アンモニウム堆積分布の解析
日立製作所 岩瀬 拓
16:00-16:30 Atomic-Scale Numerical Simulation of a Nanometer-Scale Hole Etching of SiO2 with a Carbon Mask
大阪大学 Charisse Marie D. Cagomoc
16:30-17:00 CxHyFz系のプラズマ重合膜を用いたEUV HoleパターンのCDバラつき改善
東京エレクトロン 森北 信也
17:00-17:05 クロージング
研究会終了後、懇親会を予定しております。
(当日受付 参加費 2000円)
◆ 基調講演
13:05-13:45 フッ素を含む分子イオンによるエッチング反応
大阪大学 唐橋 一浩
◆ エッチングとイオン種
13:45-14:15 過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討
京都大学 濱野 誉
14:15-14:45 フルオロカーボンガスを用いた２周波容量結合型パルスプラズマにおける粒子密度のDC重畳効果
名古屋大学 中根 一也
（休憩）
◆ ホールエッチング
15：00-15:30 高アスペクト比ホールエッチングにおけるstriationの発生メカニズム
東芝メモリ 大村 光広
15:30-16:00 積層膜加工に向けた高アスペクト比構造内のN2/HBrプラズマによる臭化アンモニウム堆積分布の解析
日立製作所 岩瀬 拓
16:00-16:30 Atomic-Scale Numerical Simulation of a Nanometer-Scale Hole Etching of SiO2 with a Carbon Mask
大阪大学 Charisse Marie D. Cagomoc
16:30-17:00 CxHyFz系のプラズマ重合膜を用いたEUV HoleパターンのCDバラつき改善
東京エレクトロン 森北 信也
17:00-17:05 クロージング
研究会終了後、懇親会を予定しております。
(当日受付 参加費 2000円)
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