2019年2月28日(木) 13:00-17:30
第216回研究集会
皆様のお越しをお待ちしております。
開催場所
大阪大学中之島センター 301講義室
京阪中之島線 中之島駅より 徒歩約５分阪神本線 福島駅より 徒歩約９分
JR東西線 新福島駅より 徒歩約９分
JR環状線 福島駅より 徒歩約１２分
地下鉄四つ橋線 肥後橋駅より 徒歩約１０分
地下鉄御堂筋線 淀屋橋駅より 徒歩約１６分 https://www.onc.osaka-u.ac.jp/others/map/
| テーマ | 新しい可能性を創り出すEmerging Junction technology |
|---|---|
| 参加費 | シリコンテクノロジー分科会会員 2,000円 応用物理学会関西支部会員 2,000円 学生 2,000円 その他 4,000円 |
| オーガナイザー | 中島良樹（サンデイスク）、山口直（ルネサス）柴田聡（パナソニック） |
| 主催 | シリコンテクノロジー分科会接合技術研究委員会 |
| 共催 | 応用物理学会関西支部 |
プログラム
１３：００～１３：０５
開会の挨拶 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合技術研究会
１３：０５～１３：３５
松浦賢太朗（東工大）「大面積集積化に向けたRF-マグネトロンスパッタリング法による二次元半導体MoS2薄膜のnMISFETsチャネル応用」
１３：３５～１４：０５
山口まりな（東芝メモリ）「強誘電HfO2トンネル接合メモリの高性能化」
１４：０５～１４：３５
筒井一生（東工大）「光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープされた不純物の三次元原子配列構造の解析」
１４：３５～１５：０５
瀬木利夫（京都大学）「巨大ガスクラスタービームによる表面クリーニングと加工」
１５：０５～１５：２０ 休憩
１５：２０～１５：５０
坂田利弥（東京大学）「半導体バイオセンサの基礎と応用」
１５：５０～１６：２０
細井卓治（大阪大学）「熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性」
１６：２０～１６：５０
秩父重英（東北大学）「エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心」
１６：５０～１７：００ 閉会の挨拶 応用物理学会関西支部
【懇親会】 １７：３０～ 中之島センター交流サロン
一般3000円、学生1000円
※懇親会参加希望の方は
パナソニック柴田 shibata.satoshi007@jp.panasonic.com までご連絡ください。
開会の挨拶 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合技術研究会
１３：０５～１３：３５
松浦賢太朗（東工大）「大面積集積化に向けたRF-マグネトロンスパッタリング法による二次元半導体MoS2薄膜のnMISFETsチャネル応用」
１３：３５～１４：０５
山口まりな（東芝メモリ）「強誘電HfO2トンネル接合メモリの高性能化」
１４：０５～１４：３５
筒井一生（東工大）「光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープされた不純物の三次元原子配列構造の解析」
１４：３５～１５：０５
瀬木利夫（京都大学）「巨大ガスクラスタービームによる表面クリーニングと加工」
１５：０５～１５：２０ 休憩
１５：２０～１５：５０
坂田利弥（東京大学）「半導体バイオセンサの基礎と応用」
１５：５０～１６：２０
細井卓治（大阪大学）「熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性」
１６：２０～１６：５０
秩父重英（東北大学）「エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心」
１６：５０～１７：００ 閉会の挨拶 応用物理学会関西支部
【懇親会】 １７：３０～ 中之島センター交流サロン
一般3000円、学生1000円
※懇親会参加希望の方は
パナソニック柴田 shibata.satoshi007@jp.panasonic.com までご連絡ください。
シリコンテクノロジー分科会会員の方は、JSAP ID、Passwordを入力すると
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