プログラム

1.　13:05-13:35　○市原 玲華（キオクシア）
自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析

2.　13:35-14:05　○梅沢　仁（産総研）
ダイヤモンド半導体の現状

3.　14:05-14:35　○門田 和樹（神戸大）
CMOS裏面埋設配線による電源供給網と電源容量の形成およびセキュリティ向け三次元積層チップへの応用

休憩　14:35-15:05

4.　15:05-15:35　○冨岡克広・蒲生浩憲・本久順一・福井孝志（北大）
InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製

5.　15:35-16:05　○佐藤好弘・山田隆善・西村佳壽子・山崎雅之・村上雅史（パナソニック）・占部継一郎・江利口浩二（京大）
プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価

6.　16:05-16:35　○隅田　圭・トープラサートポン カシディット・竹中　充・高木信一（東大）
チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御

7.　16:35-17:05　○黒田　理人（東北大）
IEDM2020を振り返って

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