プログラム

13:00-13:05　開会挨拶
　　 　名古屋大学 近藤 博基　（研究委員会委員長）

13:05-13:35 Atomic Layer Etchingの最新状況
　深沢 正永(ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社)

13:35-14:05 塩素吸着による窒化ガリウム原子層エッチングの表面反応の理想と現実
　堤 隆嘉1, 長谷川 将希2, 中村 昭平1,3, 谷出 敦3，近藤 博基1, 関根 誠1, 石川 健治1,堀 勝1(1.名古屋大学低温プラズマ科学研究センター, 2.名古屋大学工学研究科,3.株式会社SCREENホールディングス)

14：05-14:35 Molecular dynamics study on damage formation in atomic layer etching of Silicon
　Erin Joy Capdos Tinacba，Michiro Isobe，Satoshi Hamaguchi(Osaka University)

14：35-15:05 Novel Etch Technologies utilizing Atomic Layer Process for Advanced Patterning
　熊倉 翔，本田 昌伸(東京エレクトロン宮城株式会社)

（休憩）

15:25-15:55 Thermal 高選択Thermal ALE技術の研究
　伊澤　勝1，篠田 和典2(1. 株式会社日立ハイテク，2.株式会社日立製作所)

15:55-16:25 有機金属錯体を経由したコバルトのThermal ALE
　藤崎 寿美子1，山口 欣秀1，小林 浩之1，篠田 和典1，山田 将貴1，濱村 浩孝1，川村 剛平2，伊澤 勝2(1.株式会社日立製作所，2.株式会社日立ハイテク)

16:25-16:55 SiH₄+N₂プラズマによる SiNx の低温高品質成膜
　鎌滝 晋礼1, 佐々木 勇輔1, 奥村 賢直1，板垣 奈穂1，古閑 一憲1,2，白谷正治1(1.九州大学，2. 自然科学総合機構)

16：55-17:25 C₄F₈プラズマとO₂プラズマのサイクルプロセスによる高アスペクト側壁TiO₂膜の横方向エッチング
　今村 翼，酒井 伊都子，林 久貴(キオクシア株式会社)

17:25-17:30 クロージング

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