2021年6月22日(火) 13:00-17:50
第228回 研究集会
開催場所
オンライン開催
| テーマ | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 2,000円 その他 4,000円 学生 2,000円 |
| 主催 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
プログラム
13:00-13:10 SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 授賞式 （ 10分 ）
(1) 13:10-13:50
［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質
○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）
(2) 13:50-14:30
［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象～
○トープラサートポンカシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大）
14:30-14:40 休憩 （ 10分 ）
(3) 14:40-15:20
［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET
○若林 整（東工大）
(4) 15:20-16:00
［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発
○森 貴洋（産総研）
(5) 16:00-16:40
［依頼講演］デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして
○鳥海 明
16:40-16:50 休憩 （ 10分 ）
(6) 16:50-17:10
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
○松井千尋・竹内 健（東大）
(7) 17:10-17:30
組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響
○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健（東大）
(8) 17:30-17:50
熱処理による金属/Ge構造上の極薄Ge結晶形成
○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
↓のボタンではなく↑のURLから参加申込を行ってください。
13:00-13:10 SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 授賞式 （ 10分 ）
(1) 13:10-13:50
［記念講演］イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質
○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）
(2) 13:50-14:30
［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象～
○トープラサートポンカシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大）
14:30-14:40 休憩 （ 10分 ）
(3) 14:40-15:20
［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET
○若林 整（東工大）
(4) 15:20-16:00
［依頼講演］シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発
○森 貴洋（産総研）
(5) 16:00-16:40
［依頼講演］デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして
○鳥海 明
16:40-16:50 休憩 （ 10分 ）
(6) 16:50-17:10
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
○松井千尋・竹内 健（東大）
(7) 17:10-17:30
組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響
○三澤奈央子・田岡健太・越能俊介・松井千尋・竹内 健（東大）
(8) 17:30-17:50
熱処理による金属/Ge構造上の極薄Ge結晶形成
○大田晃生・松下圭吾・田岡紀之・牧原克典・宮﨑誠一（名大）
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