１１月１日（水）

９：５０－１０：００
挨拶（研究集会開催趣旨説明）

１０：００－１１：００
（基調講演）1.0V駆動 高性能CMOS技術
小野 篤樹、 深作 克彦、 松田 友子、 池澤 延幸、 今井 清隆、 堀内 忠彦
NECエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部 基幹CMOSグループ

１１：００－１２：００
（基調講演）70 nm、50 nm　nodeにおけるCMOS技術開発の課題
岩井　洋、*大見俊一郎
東京工業大学　大学院総合理工学研究科　*精密工学研究所

１３：００－１３：３０
高誘電体TiO2のゲート絶縁膜応用―ゲート電極およびSiとの界面制御
小山　正人、金子　明生、小池　正浩、藤原　郁夫、小池　三夫、西山　彰
東芝　研究開発センター　LSI基盤技術ラボラトリー

１３：３０－１４：００
1nmEOT-TiO2ゲート絶縁膜における誘電率および絶縁性の制御
由上　二郎、*原口　恵一、鳥居　和功、尾内　享裕
（株）日立製作所中央研究所　*半導体グループ

１４：００－１４：３０
CoSi2張り付けソース／ドレインおよびTiO2ゲート絶縁膜のダマシーンメタルゲートトランジスタの試作
松尾浩司、斎藤友博、八木下淳史、飯沼俊彦、村越篤、中嶋一明、尾本誠一、須黒恭一
（株）東芝　セミコンダクター社　プロセス技術推進センター

１４：３０－１５：００
Ta2O5ゲート絶縁膜とW/TiNゲート電極を用いたサブ0.1um-MOSFET
杉井寿博、山口晃久、セルゲイ・ピディン、三本杉安弘、青山敬幸
（株）富士通研究所　機能デバイス研究部

休憩（15分間）

１５：１５－１５：４５
BSTをゲート絶縁膜に用いたMISデバイス特性
山本豊二、東郷光洋、渡部宏冶、辻　清孝、*飯塚敏洋 、五十嵐信行、木村　滋、小野春彦、辰巳 徹、最上　徹
ＮＥＣ、システムデバイス・基礎研究本部、シリコンシステム研究所　*ＮＥＣエレクトロンデバイス、先端デバイス開発本部

１５：４５－１６：１５
ＺｒＯ２/Ｓｉ界面のＺｒシリケイト層を用いたＭＩＳ構造の実現
山口　豪、佐竹　秀喜、福島　伸、*鳥海　明
東芝　研究開発センター　ＬＳＩ基盤技術ラボラトリー　*現　東京大学大学院工学研究科材料工学専攻

１６：１５－１６：４５
内部光電子放出測定によるZrO2/Si障壁高さの定量（仮題）
西藤 哲史、間部 謙三、三浦 喜直、藤枝 信次、辰巳 徹
NEC システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

１６：４５－１７：１５
高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMIS構造おけるエネルギーバンドプロファイルの決定と界面電子状態計測
宮崎誠一、糸川寛志、小笠原優、奈良崎昌宏、廣瀬全孝
広島大学、工学部

１７：３０～
懇親会（予定）

１１月２日（木）

９：３０－９：４０
挨拶（研究集会開催趣旨説明）

９：４０－１０：２５
（基調講演）超機能グローバル・インターフェースインテグレーション
堀池 靖浩，益 一哉* 東京大学大学院工学系研究科，*東京工業大学精密工学研究所

１０：２５－１１：１０
（基調講演）スーパーコネクト技術とグローバルインテグレーション
桜井　貴康
東京大学　国際・産学共同研究センター

１１：１０－１１：４０
SoC に向けた0.13um世代のCMOSプロセスインテグレーション技術
吉村 尚郎，中山 武雄，西郡 正人，猪原 正弘，宮下 桂，森藤 栄治，大石 周，川島 博文*，土生 真理子，小池 英敏，高東 宏，松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部システムLSI技術開発統括部，*(株)東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部システムLSI設計技術統括部

１１：４０－１２：１０
SiO/SiN/poly-Si/Wゲートシステムを用いた高性能SoC用0.1μmCMOS技術
尾内 享裕，辻川 真平，内野 峻，土屋 龍太，大西 和博，福田 宏，久本 大，山本 直樹，由上 二郎，一瀬 勝彦，大塚 文雄
(株)日立製作所中央研究所、デバイス開発センタ

１３：１０－１３：４０
SoCのためのマルチオキサイド技術
後藤 啓郎，今井 清隆，君塚 直彦，長谷川 英司，鈴木 達也，安藤 公一，堀内 忠彦
NECエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

１３：４０－１４：１０
８０ｎｍゲートＳＯＩおよびＶＬＫ／Ｃｕ配線を用いた１３０ｎｍＣＭＯＳテクノロジー
助川 和雄，吉江 敬三郎，工藤 寛，山地 充*，金田 博幸*，入山 靖徳，阿部 隆，吉村 鉄夫，伊澤 哲夫，山田 雅雄
富士通株式会社 ＵＬＳＩエンジニアリング部第一デバイス開発部　* 富士通研究所(株) 基盤技術研究所

１４：１０－１４：４０
システムLSI技術：SoC vs. SoP --超高速アナデジ混載を中心にして--
松澤 昭 松下電器産業(株) 半導体開発本部 半導体先行開発センター

１４：４０－１５：１０
３次元集積化技術とグローバルインテグレーション
小柳 光正，李 康旭*
東北大学 大学院工学研究科，*科学技術振興事業団

休憩（15分間）

１５：２５－１６：０５
SoP (System-on-Package) と電子ＳＩ(System Integration)（仮題）
高橋 健司、茨木 修、盆子原 学
ASET 電子SI研究部

＜ＬＳＩ混載プロセス・材料技術調査報告＞

１６：０５－１６：２５
SoC (System-on-Chip)と混載ＬＳＩ
山中 俊明，落合 利幸*，二木 俊郎**
(株)日立製作所中央研究所，*沖電気工業(株)，**(株)富士通研究所

１６：２５－１６：４５
SoP (System-on-Package)と混載パッケージ
瀬川 雅雄，武井 宏*
(株)東芝 生産技術センター，*(株)デンソー

１６：４５－１７：０５
システムレベルの混載実装
木村 直，北城 栄*，野口 賢一**
住友金属鉱山(株) 電子事業本部 技術センター，*日本電気(株)，**日本無線(株)

１７：０５－１７：２５
混載のための基幹技術および材料
福本 博文，天野 彰*，須賀 唯知**，小柳 光正***
旭化成工業(株) 中央技術研究所，*(株)富士電機総合研究所，**東京大学，***東北大学