2022年11月10日(木) 09:55～18:15
2022年11月11日(金) 09:30～17:40
2022年11月11日(金) 09:30～17:40
第239回 研究集会
開催場所
オンライン開催
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 シリテク分科会会員 2,000円 その他 4,000円 学生 無料 |
| 共催 | 電子情報通信学会 |
プログラム
11月10日(木) 午前 （09：55～12：00）
−−− 挨拶 （ 5分 ） −−−
(1) 10:00 - 11:00
［招待講演］CMOSデバイス技術の最新動向とIRDSロードマップ
○若林 整（東工大）
(2) 11:00 - 12:00
［招待講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計
○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大）
−−− 昼食 （ 60分 ） −−−
11月10日(木) 午後 （13：00～15：00）
(3) 13:00 - 14:00
［招待講演］GPGPUによるMonte Carloイオン注入の高速化 ～ 高エネルギーイオン注入を対象として ～
○町田文枝・越本浩央・嘉山康之（SRJ）・Alexander Schmidt・Inkook Jang（SEC）・山田 悟（SRJ）・Dae Sin Kim（SEC）
(4) 14:00 - 15:00
［招待講演］CrSi薄膜の電気特性のモデリング
○園田賢一郎・白石信仁・前川和義・伊藤 望・長谷川英司・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
11月10日(木) 午後 （15：15～18：15）
(5) 15:15 - 16:15
［招待講演］CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション
○棚本哲史（帝京大）
(6) 16:15 - 17:15
［招待講演］ゲート式量子コンピューティングアルゴリズムを援用したナノスケールデバイスシミュレーション手法の検討
○相馬聡文・松尾信吾・石橋拓也（神戸大）
(7) 17:15 - 18:15
［招待講演］材料計算：古典コンピュータでできること、量子コンピュータでしかできないこと ～ 材料計算プラットフォームQuloud-RSDFTを例に ～
○松下雄一郎（東工大）・岩田潤一・小杉太一・トラン バ フン・西谷侑将・西 紘史（Quemix）
11月11日(金) 午前 （09：30～11：55）
(8) 09:30 - 10:30
［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して
○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ）
(9) 10:30 - 11:30
［招待講演］自己加熱制御用の金属酸化物材料分子センサのコンパクトモデル実装
○椎木陽介（慶大）・長田紳太郎・高橋綱己・柳田 剛（東大）・石黒仁揮（慶大）
(10) 11:30 - 11:55
ニューラルネットワークを用いた急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"モデリング検討
○中田賢吾・森 貴之・井田次郎（金沢工大）
−−− 昼食 （ 65分 ） −−−
11月11日(金) 午後 （13：00～15：00）
(11) 13:00 - 14:00
［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研）
(12) 14:00 - 15:00
［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化
○野口宗隆（三菱電機）・喜多浩之（東大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
11月11日(金) 午後 （15：15～17：40）
(13) 15:15 - 16:15
［招待講演］SiCパワーモジュールの高信頼性設計 ～ 劣化予測へ向けた実験的特性評価 ～
○福永崇平（阪大）・カスティラッズィ アルベルト（京都先端）・舟木 剛（阪大）
(14) 16:15 - 17:15
［招待講演］SISPAD2022レビュー
○相馬聡文（神戸大）
(15) 17:15 - 17:40
ReRAMのサイクル変動特性の評価とモデリング
○吉本将馬・竹森聖起・鎌倉良成（阪工大）
招待講演：発表 50 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
−−− 挨拶 （ 5分 ） −−−
(1) 10:00 - 11:00
［招待講演］CMOSデバイス技術の最新動向とIRDSロードマップ
○若林 整（東工大）
(2) 11:00 - 12:00
［招待講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計
○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大）
−−− 昼食 （ 60分 ） −−−
11月10日(木) 午後 （13：00～15：00）
(3) 13:00 - 14:00
［招待講演］GPGPUによるMonte Carloイオン注入の高速化 ～ 高エネルギーイオン注入を対象として ～
○町田文枝・越本浩央・嘉山康之（SRJ）・Alexander Schmidt・Inkook Jang（SEC）・山田 悟（SRJ）・Dae Sin Kim（SEC）
(4) 14:00 - 15:00
［招待講演］CrSi薄膜の電気特性のモデリング
○園田賢一郎・白石信仁・前川和義・伊藤 望・長谷川英司・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
11月10日(木) 午後 （15：15～18：15）
(5) 15:15 - 16:15
［招待講演］CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション
○棚本哲史（帝京大）
(6) 16:15 - 17:15
［招待講演］ゲート式量子コンピューティングアルゴリズムを援用したナノスケールデバイスシミュレーション手法の検討
○相馬聡文・松尾信吾・石橋拓也（神戸大）
(7) 17:15 - 18:15
［招待講演］材料計算：古典コンピュータでできること、量子コンピュータでしかできないこと ～ 材料計算プラットフォームQuloud-RSDFTを例に ～
○松下雄一郎（東工大）・岩田潤一・小杉太一・トラン バ フン・西谷侑将・西 紘史（Quemix）
11月11日(金) 午前 （09：30～11：55）
(8) 09:30 - 10:30
［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して
○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ）
(9) 10:30 - 11:30
［招待講演］自己加熱制御用の金属酸化物材料分子センサのコンパクトモデル実装
○椎木陽介（慶大）・長田紳太郎・高橋綱己・柳田 剛（東大）・石黒仁揮（慶大）
(10) 11:30 - 11:55
ニューラルネットワークを用いた急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"モデリング検討
○中田賢吾・森 貴之・井田次郎（金沢工大）
−−− 昼食 （ 65分 ） −−−
11月11日(金) 午後 （13：00～15：00）
(11) 13:00 - 14:00
［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研）
(12) 14:00 - 15:00
［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化
○野口宗隆（三菱電機）・喜多浩之（東大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
11月11日(金) 午後 （15：15～17：40）
(13) 15:15 - 16:15
［招待講演］SiCパワーモジュールの高信頼性設計 ～ 劣化予測へ向けた実験的特性評価 ～
○福永崇平（阪大）・カスティラッズィ アルベルト（京都先端）・舟木 剛（阪大）
(14) 16:15 - 17:15
［招待講演］SISPAD2022レビュー
○相馬聡文（神戸大）
(15) 17:15 - 17:40
ReRAMのサイクル変動特性の評価とモデリング
○吉本将馬・竹森聖起・鎌倉良成（阪工大）
招待講演：発表 50 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
・会議３日前に参加登録しめきりとなります。
・下記参加申し込みから、申し込みいただいた方に開催前日または前々日までにWebEx 会議リンクが案内されます。
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