13:00-13:30
1. 「次世代ＣＭＯＳに求められるブレークスループロセス技術」
堀内忠彦（NEC)

13:30-14:00
2. 「ナノメータスケール加工時代のプラズマエッチングTCAD」
真壁利明(慶大)

14:00-14:30
3. 「ICPリアクターにおけるラジカル発生と表面反応モデリング」
南部健一(東北大)

14:30-15:00
4. 「プラズマエッチングにおける表面反応の分子レベルシミュレーション」
田中潤一(日立)

15:00-15:20(休憩)

15:20-15:50
5. 「CVD反応解析とモデリング」
霜垣幸浩(東大)

15:50-16:20
6. 「デバイス設計から見たプラズマシミュレーションのターゲット」
江利口浩二(松下)

16:20-16:50
7. 「プロセスサイドから見たプラズマシミュレーションのターゲット」
三本木省二(東芝)

16:50-17:20
8. 「パネルディスカッション」
(講演者全員)

18:00～ 懇親会：研究会終了後(会場内)