2000年11月15日(水) 13:00-17:30

第24回 研究集会

開催場所

慶應義塾大学 三田キャンパス内、北新館ホール

(電話 03-3453-4511) JR山手線下車徒歩15分 https://annex.jsap.or.jp/img/dai24.gif
テーマ 次世代バックエンドプロセスシミュレーション
主催 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 モデリング研究委員会
協賛 応用物理学会 プラズマエレクトロニクス分科会、TCAD産学協議会

プログラム

13:00-13:30
1. 「次世代CMOSに求められるブレークスループロセス技術」
堀内忠彦(NEC)

13:30-14:00
2. 「ナノメータスケール加工時代のプラズマエッチングTCAD」
真壁利明(慶大)

14:00-14:30
3. 「ICPリアクターにおけるラジカル発生と表面反応モデリング」
南部健一(東北大)

14:30-15:00
4. 「プラズマエッチングにおける表面反応の分子レベルシミュレーション」
田中潤一(日立)

15:00-15:20(休憩)

15:20-15:50
5. 「CVD反応解析とモデリング」
霜垣幸浩(東大)

15:50-16:20
6. 「デバイス設計から見たプラズマシミュレーションのターゲット」
江利口浩二(松下)

16:20-16:50
7. 「プロセスサイドから見たプラズマシミュレーションのターゲット」
三本木省二(東芝)

16:50-17:20
8. 「パネルディスカッション」
(講演者全員)

18:00~ 懇親会:研究会終了後(会場内) 

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