2024年1月31日(水) 12:30～16:20
第247回 研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
■対面：金沢工業大学虎ノ門キャンパス（先着100名）
■オンライン：Zoom予定
※学生の皆様は、現地参加も含めて無料といたします。ただし、会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。
| テーマ | IEDM特集 |
|---|---|
| 参加費 | シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 シリテク分科会会員 2,000円 その他 4,000円 学生 無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） |
| 共催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
(1) 12:30～12:35
分科会幹事からのアナウンス
(2) 12:35～13:05
mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
岡 博史（産総研）
(3) 13:05～13:35
プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
伊藤 健治（豊田中央研究所）
(4) 13:35～14:05
3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
田上 政由（キオクシア）
(5) 14:05～14:35
CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、 インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
小林 茂樹（キオクシア）
--- 休憩15分 ---
(6) 14:50～15:20
チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善
鈴木 都文（キオクシア）
(7) 15:20～15:50
低電圧かつ高信頼性の３次元構造強誘電体キャパシターを有する1T1C型FeRAM
奥野 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(8) 15:50～16:20
HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング
高木 信一（東京大学）
分科会幹事からのアナウンス
(2) 12:35～13:05
mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
岡 博史（産総研）
(3) 13:05～13:35
プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
伊藤 健治（豊田中央研究所）
(4) 13:35～14:05
3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
田上 政由（キオクシア）
(5) 14:05～14:35
CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、 インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
小林 茂樹（キオクシア）
--- 休憩15分 ---
(6) 14:50～15:20
チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善
鈴木 都文（キオクシア）
(7) 15:20～15:50
低電圧かつ高信頼性の３次元構造強誘電体キャパシターを有する1T1C型FeRAM
奥野 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(8) 15:50～16:20
HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング
高木 信一（東京大学）