2024年2月20日(火) 13:00~17:35

第248回 研究集会

 ようやく対面での社会活動が通常と感じられる今日この頃,半導体分野に関しては,産業的にも学術的にもますます熱気を増し,政策・ビジネス・学術など半導体に関するニュースを目にしない日は無いのではと思います.応用物理学会学術講演会や先のドライプロセスシンポジウム(DPS),米国真空学会(AVS)などでは,クライオジェニックエッチングやワイドギャップ半導体のエッチングなど,ブレイクスルーを目指したチャレンジングな加工技術の研究開発について,多くの注目発表がなされています.アカデミアのみならず,企業や公的研究機関からも,それぞれの視点から多くの発表があり,議論が交わされていることも最近の特徴と言えそうです.
 そこで本年度は,まず前半に東京エレクトロンの須田隆太郎様と名古屋大学のShih-Nan Hsiao先生からクライオエッチングに関する研究動向と最新の成果を,日立ハイテク台湾の森本未知数様からパルシング技術によるFinFET対応エッチングについてご紹介いただきます.続く後半部では,上智大学の菊池昭彦先生と東北大学の大堀大介先生からワイドギャップ半導体のエッチング技術について,それぞれHEATE法と中性粒子ビームを用いた手法について,ご紹介いただきます.また産業技術総合研究所の藤野真久様からは,近年,大変に注目が集まっているウエハ接合と3次元実装について技術動向と最新の成果をご教授いただきます.
 このように,本年度は最新の加工技術にフォーカスしまして,DPSなどで注目された若手研究者の講演なども含め、企業、大学でのプロセス研究の最先端を幅広くご紹介できる機会になると考えます。多くの皆様にご参加いただき、活発な議論をお願いできればと期待しております。

開催場所

ハイブリッド開催
■対面:東京大学 / 本郷キャンパス工学部 4号館 3階 42講義室(先着50名)
https://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
■オンライン:Zoom予定

テーマ 半導体微細加工の新しいチャレンジ
参加費 シリコンテクノロジー継続会員, シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員:無料
シリコンテクノロジー分科会会員:2,000円
その他:4,000円
学生:無料(但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり)
主催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

プログラム


(1) 13:00-13:05 開会挨拶
九州大学 近藤 博基(研究委員長)

(2) 13:05-13:45
[招待講演] クライオエッチングによる3D NAND Memory向け高アスペクト比加工技術
東京エレクトロン 須田 隆太郎

(3) 13:45-14:25
[招待講演] クライオジェニックプラズマによる絶縁膜のエッチング特性と電気評価
名古屋大学 Shih-Nan Hsiao

(4) 14:25-15:05
[招待講演] パルシング技術を用いたFinFET対応エッチング
日立ハイテク台湾 森本 未知数

--- 休憩 ---

(5) 15:25-16:05
[招待講演] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるワイドギャップ半導体のナノ加工
上智大学 菊池 昭彦

(6) 16:05-16:45
[招待講演] マイクロLED加工のためのHIガスを用いたInGaN,GaN加工特性
東北大学 大堀 大介、王 学論、寒川誠二

(7) 16:45-17:25
[招待講演] ウエハレベル表面活性化接合と3次元実装
産業技術総合研究所 藤野 真久

(8) 17:25-17:35 クロージング

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