2024年8月26日(月) 12:55〜17:40
第252回 研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
■対面：金沢工業大学虎ノ門キャンパス13F 1301教室（先着100名）
https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm
■オンライン：Zoom予定
学生の皆様は、現地参加も含めて無料といたします。ただし、会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。
| テーマ | VLSIシンポジウム特集 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
プログラム
(1) 12:55～13:00
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:00～13:30
ナノシート酸化物半導体トランジスタにおける高電界輸送と特性ばらつき
Xingyu Huang（東京大学）
(3) 13:30～14:00
大規模集積シリコン量子コンピュータに向けたConcatenated Continuous Drivingによるスピン量子ビットの寿命延長技術
久野 拓馬（日立製作所）
(4) 14:00～14:30
先端 3D Chiplet に向けた高熱伝導率AlN膜の研究
高木 剛（東京大学）
(5) 14:30～14:50
2024 VLSI Symposiumを振り返って
角村 貴昭（東京エレクトロン）
−−− 休憩20分 −−−
(6) 15:10～15:40
3D-NAND型メモリーにおけるワードラインの抵抗率とその低減手法
寺田 博（東京エレクトロン）
(7) 15:40～16:10
3Dフラッシュメモリのスケーラビリティと高信頼性を可能にするフッ素フリーワードラインモリブデンプロセス
福島 崇（キオクシア）
(8) 16:10～16:40
HZO/Si FeFETメモリにおける非積算性ディスターブ機構の解明及びその低減に向けた手法の提案
大友 将樹（東京大学）
(9) 16:40～17:10
Channel-All-Around型TiO2チャネルFeFETの動作実証とスケーラビリティ検証
浜井 貴将（キオクシア）
(10) 17:10～17:40
85℃にて100%のビットリコール率と十分なデータ保持時間を示すHZOベース不揮発性SRAMアレイ
周藤 悠介（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:00～13:30
ナノシート酸化物半導体トランジスタにおける高電界輸送と特性ばらつき
Xingyu Huang（東京大学）
(3) 13:30～14:00
大規模集積シリコン量子コンピュータに向けたConcatenated Continuous Drivingによるスピン量子ビットの寿命延長技術
久野 拓馬（日立製作所）
(4) 14:00～14:30
先端 3D Chiplet に向けた高熱伝導率AlN膜の研究
高木 剛（東京大学）
(5) 14:30～14:50
2024 VLSI Symposiumを振り返って
角村 貴昭（東京エレクトロン）
−−− 休憩20分 −−−
(6) 15:10～15:40
3D-NAND型メモリーにおけるワードラインの抵抗率とその低減手法
寺田 博（東京エレクトロン）
(7) 15:40～16:10
3Dフラッシュメモリのスケーラビリティと高信頼性を可能にするフッ素フリーワードラインモリブデンプロセス
福島 崇（キオクシア）
(8) 16:10～16:40
HZO/Si FeFETメモリにおける非積算性ディスターブ機構の解明及びその低減に向けた手法の提案
大友 将樹（東京大学）
(9) 16:40～17:10
Channel-All-Around型TiO2チャネルFeFETの動作実証とスケーラビリティ検証
浜井 貴将（キオクシア）
(10) 17:10～17:40
85℃にて100%のビットリコール率と十分なデータ保持時間を示すHZOベース不揮発性SRAMアレイ
周藤 悠介（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
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