１．ＵＬＳＩ多層配線技術の課題 １０：００－１０：４０
〇吉川公麿（広島大学）

２．有機系低ｋ膜を用いたＣｕダマシン多層配線プロセス設計とその実証 １０：４５－１１：１５
〇林 喜宏、木下 啓蔵、多田 宗弘、宇佐美 達也、廣井 政幸、利根川 丘、柴 和利、小野寺 貴弘、田上 政由、川原 潤、斎藤 忍

３．感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによる巨大サイズ配線 １１：１５－１１：４５
◯斎藤國夫・八木祥次・小杉敏彦・山口 力（NTT）・工藤和久・矢野正樹（NTTアドバンステクノロジー）・石井 仁・町田克之・久良木億（NTT）

４．EVOLUTION OF GRAIN AND MICRO-VOID STRUCTURE IN ELECTROPLATED COPPER INTERCONNECTION LINES １：１５－１：４５
A. Hobbs（富士通研）, S. Murakami*, T.Hosoda*, S.Ohtsuka*, M.Miyajima*, S.Sugatani*（富士通）, and T.Nakamura （富士通研）

５．ダマシンCu配線における絶縁劣化現象 １：１５－１：４５
○武田 健一・日野出 憲治（日立製作所）

６．低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるＣｕイオンドリフト抑制効果 １：４５－２：１５
○尾田智彦・向川政治（広島大学）青木倫子・清水泰雄（クラリアントジャパン）

７. Cu めっき用下地膜の真空一貫 Barrier / Cu Seed 積層成膜 ２：３０－３：００
〇関口 敦・小出知昭・張 敏娟・國信隆史・砂山英樹・小林明子・鈴木 薫・肖 石琴・岡田 修

８．Low-k材用の誘電率の理論的導出 ３：００－３：３０
○福田 琢也・青井 信雄・松浦 東・松永 宏典（ＡＳＥＴ）

９．層間絶縁材料SiLKのCuダマシンプロセスにおける特性について ３：４５－４：１５
Michael Mills ・Edward Shaffer・Joost Waterloos ・Michael Simmonds ・Kenneth Foster （ダウケミカル）太田文彦・本田善彦（日立化成）○井田 康暢（ダウケミカル）

１０．新型Low－ｋシリカ膜 ～高規則性を有した空孔構造～ ４：１５－４：４５
〇田中千晶（日本真空技術）