第28回 研究集会
0.13μm 世代の到来、300mmφ基板の本格量産適用を迎え、シリコン基板も更なる 高品質化が求められています。結晶はあくまでもデバイス活性領域の完全性が追及され、 加工においても Site Flatness のみならず、Nanotopography に関しても厳しい要求が あります。本研究会では、これらの要求品質を満足するための課題を整理し、300mmφ 基板での達成を意識して議論したいと考えます。また永遠のテーマであります Gettering に関しても、プロセスの更なる低温化へ対応したIG 形成や新材料適用による新金属汚 染の影響について議論いたします。
開催場所
東京大学本郷キャンパス山上会館２階大会議室
地図：山上会館 http://www.u-tokyo.ac.jp/map/map01j/e11-j.html http://www.u-tokyo.ac.jp/map/map01-j.html| テーマ | シリコン結晶特集 - 0.13μm 世代のシリコン基板 - |
|---|---|
| 企画 | 表面・界面・シリコン材料研究委員会（委員長：大阪府大 井上直久） |
プログラム
(1) Pure Siliconの大口径化技術とゲッタリング特性 (13:00～13:25)
降屋 久（三菱マテリアル）
(2) 無ネッキング無転位ＣＺ－Ｓｉ結晶成長 (13:25～13:50)
干川圭吾、黄 新明、太子敏則（信州大学教育学部）
(3) 水素アニールによるシリコンウェーハ特性の改善 (13:50～14:15)
黒川 昌彦（東芝セラミックス）
(4) 高選択比異方性エッチングを利用した表面近傍欠陥の高感度検出(14:15～14:40)
中嶋 健次（豊田中研）
(5) CZ-Si 結晶における窒素の挙動と評価（14:40-15:05）
井上 直久（大阪府大）
（休憩 15:05-15:20）
(6) 低温プロセスにおける IG 挙動（15:20-15:45）
定光 信介（住友金属）
(7) ULSI 製造工程に適用される新材料に起因する金属汚染種の挙動と影響（15:45-16:10）
滝山 真功（ワッカー・エヌエスシーイー）
(8) 先端プロセスにおけるウェーハ・トポグラフィーの課題 （16:10-16:35）
福田 哲生（富士通）
(9) 0.13μｍ世代の Flatness における課題（16:35-17:00）
成富 俊雄（住友金属）
懇親会 17:30-