第30回 研究集会
極微細MOSFETでは、従来のすべてのデバイスパラメータが、バイアス依存性をも つ。実効チャネル、実効酸化膜厚、接合深さ、…。これらのパラメータを正確に抽出す ることは、微細素子の回路モデルを構築していく上できわめて重要であり、また一方 で解析モデルは正しいデバイス物理モデル構築に欠かせない。しかしながら、昨今の デバイス開発においては、このあたりが手薄になっている感はある。一度、この領域 で仕事をなさっている方に講演していただき、最近の成果を含めて議論したい。
| テーマ | デバイスパラメータ抽出技術 |
|---|---|
| オーガナイザー | 鳥海明（東京大学） |
プログラム
(1) はじめに （12:30-12:40）
東京大学
鳥海明
(2) MOSFETの実効チャネル長としきい値電圧の抽出（12:40-13:30）
広島市立大学
情報科学部 寺田和夫
(3) 短チャネルトランジスタの実効チャネル長に関する考察（13:30-14:00）
三菱電気（株）ULSI技術開発センター
西田征男、太田和伸、杉原浩平、佐山弘和、山口健司、永久克己、尾田秀一、井上靖朗
(4) Ion-Ioff特性：Moderate inversionのモデリング（14:00-14:30）
（株）東芝 セミコンダクタ社 システムLSI設計技術統括部
執行直之
(5) TCADを併用したSCM分析（14:30-15:00）
東芝LSI基盤技術ラボラトリー1、東レリサーチセンター(現千葉大学)2、東芝セミコンダクター社3
松沢一也1、中村一雅2、大脇幸人3、青木伸俊3、水島一郎3
休憩（15:00-15:15）
(6) 走査型マックスウェル応力顕微鏡(SMM)によるシリコンデバイス表面電位の直接計測（15:15-15:45）
産業技術総合研究所
松川 貴、金丸正剛、長尾昌善、伊藤順司
(7) 走査型チャージポンピング法による界面特性評価（15:45-16:15）
姫路工業大学 工学部 電子工学科
岸野正剛、吉田晴彦
(8) MOSトンネル・ダイオードのインピーダンス・スペクトラム解析による容量成分抽出（16:15-16:45）
日本テキサス・インスツルメンツ（株）筑波研究開発センター
廣瀬 裕、松村三江子
(9) インピーダンス・アナライザ、ＬＣＲメータの正しい使い方（16:45-17:15）
アジレント・テクノロジー（株）
電子部品計測事業部 川畑 茂
(10) 高感度測定技術－精密DC電流・電圧・抵抗測定のために－（17:15-17:45）
（株）東陽テクニカ
山口政紀
(11) 総合討論（17:45-18:00）