2001年8月24日(金) 12:30-18:00

第30回 研究集会

 極微細MOSFETでは、従来のすべてのデバイスパラメータが、バイアス依存性をも つ。実効チャネル、実効酸化膜厚、接合深さ、…。これらのパラメータを正確に抽出す ることは、微細素子の回路モデルを構築していく上できわめて重要であり、また一方 で解析モデルは正しいデバイス物理モデル構築に欠かせない。しかしながら、昨今の デバイス開発においては、このあたりが手薄になっている感はある。一度、この領域 で仕事をなさっている方に講演していただき、最近の成果を含めて議論したい。

開催場所

東洋大学 白山校舎 スカイホール(2号館16階)

〒112-8606 東京都文京区白山5-28-20 http://si.tuat.ac.jp/back/map14.htm
テーマ デバイスパラメータ抽出技術
オーガナイザー 鳥海明(東京大学)

プログラム

(1) はじめに (12:30-12:40)
東京大学
鳥海明

(2) MOSFETの実効チャネル長としきい値電圧の抽出(12:40-13:30)
広島市立大学
情報科学部 寺田和夫

(3) 短チャネルトランジスタの実効チャネル長に関する考察(13:30-14:00)
三菱電気(株)ULSI技術開発センター
西田征男、太田和伸、杉原浩平、佐山弘和、山口健司、永久克己、尾田秀一、井上靖朗

(4) Ion-Ioff特性:Moderate inversionのモデリング(14:00-14:30)
(株)東芝 セミコンダクタ社 システムLSI設計技術統括部
執行直之

(5) TCADを併用したSCM分析(14:30-15:00)
東芝LSI基盤技術ラボラトリー1、東レリサーチセンター(現千葉大学)2、東芝セミコンダクター社3
松沢一也1、中村一雅2、大脇幸人3、青木伸俊3、水島一郎3

休憩(15:00-15:15)

(6) 走査型マックスウェル応力顕微鏡(SMM)によるシリコンデバイス表面電位の直接計測(15:15-15:45)
産業技術総合研究所
松川 貴、金丸正剛、長尾昌善、伊藤順司

(7) 走査型チャージポンピング法による界面特性評価(15:45-16:15)
姫路工業大学 工学部 電子工学科
岸野正剛、吉田晴彦

(8) MOSトンネル・ダイオードのインピーダンス・スペクトラム解析による容量成分抽出(16:15-16:45)
日本テキサス・インスツルメンツ(株)筑波研究開発センター
廣瀬 裕、松村三江子

(9) インピーダンス・アナライザ、LCRメータの正しい使い方(16:45-17:15)
アジレント・テクノロジー(株)
電子部品計測事業部 川畑 茂

(10) 高感度測定技術-精密DC電流・電圧・抵抗測定のために-(17:15-17:45)
(株)東陽テクニカ
山口政紀

(11) 総合討論(17:45-18:00)

懇親会(18:00-20:00)スカイホール 懇親会費2000円
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