2001年11月9日(金) 13:00-17:20
第33回 研究集会
ＩＴＲＳのロードマップでは２００１年中に、ＭＰＵにおいては１００ｎｍのサイズ を超えた世代への突入を予測している。研究レベルでは、１０ｎｍオーダの素子も実現され つつある。それらを背景として、デバイス構造の更なる微細化に伴うプロセス設計および回 路設計を支援するモデリング＆シミュレーション技術について最近の状況を報告すると共に、 ポストＳｉ材料の候補としてのカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）につき最近の成果も報告す る。
開催場所
神戸大学百年記念館（神大会館）六甲ホール
神戸市灘区六甲１（阪急六甲、JR六甲道下車、神戸市バス36系統神大文理農学部前下車
または神大本部工学部前下車；phone 078-881-1212 ext.5298） http://www2.kobe-u.ac.jp/~lerl2/venue.htm
| テーマ | サブ100ｎｍ世代のシミュレーション技術 |
|---|---|
| オーガナイザー | 神戸大学工学部電気電子工学科 小川 真人 |
| 共催 | TCAD産学協議会 |
| お問い合わせ先 | 神戸大学工学部電気電子工学科 小川 真人 phone & Fax 078-803-6074, E-mail: ogawa@eedept.kobe-u.ac.jp |
プログラム
講演者（順不同）（６名、講演３０分、質疑１０分、休憩２０分 計２６０分）：
羽根 正巳氏（ＮＥＣシステムデバイス基礎研究所）
Ｓｉ中の拡散現象の分子動力学法による解析
鎌倉 良成先生（大阪大学大学院）
分子動力学／アンサンブルモンテカルロ法による散乱の解析
伊藤 彰浩先生＊ 、田中 一義先生（京都大学大学院）
ＣＮＴの基礎物性
上野 弘明先生＊ 、三浦Ｍ.道子先生（広島大学）
サブ１００ｎｍデバイスのパラメータ抽出と等価回路モデル
大倉 康幸氏（半導体先端テクノロジーズ）
３次元デバイスシミュレータHyDeLEOSの開発
高木 信一氏（東芝）
サブバンド構造エンジニアリング
（２名のうちの＊印は講演者）