13:00-13:10 イントロダクトリトーク　小柳光正（東北大）

13:10-13:50 浮遊ゲート型フラッシュメモリの問題点と将来へ向けての技術課題
　 吉川邦良（東芝）

13:50-14:30 MONOSメモリ技術のポイントと新しい展開
神垣良昭（香川大）、南眞一（日立）

14:30-15:10 DRAMの開発状況と将来展望
清水真二（エルピーダメモリ）

15:10-15:30 休憩

15:30-16:10 ナノ構造を利用した新メモリデバイス
矢野和男（日立）

16:10-16:50 シリコン・スタック・トランジスタ（PLEDTR）を用いた新メモリ
中里和郎（日立ケンブリッジ）

16:50-17:50 総合討論　司会：小柳光正（東北大）