第38回 研究集会
シリコン集積回路は微細加工技術の発展をドライビングフォースとして長足の進歩を遂げてきた。しかしながら、最近、さらなる微細化への技術的ハードルが高くなってきたこと、あるいはシリコンビジネスの裾野が広がってきたことから、シリコン単結晶基板を用いた従来プロセス技術と異なる新しいプロセス技術が注目を集めている。今回の研究会ではシリコン材料技術の新しい動きにスポットを当ててその展望を議論する。
開催場所
東京大学山上会館
（東京都文京区本郷７－３－１、地下鉄丸の内線本郷三丁目駅下車）| テーマ | シリコン基板を越えて |
|---|---|
| オーガナイザー | 廣瀬和之（宇宙研）、藤岡洋（東京大学） |
プログラム
13:00- 開会のあいさつ
（宇宙研 廣瀬和之）
13:10- シリコンナノピラッミッド電子放出源
（早大 大泊巌、谷井孝至）
13:35- ガラス基板上に移動度500cm／Vsを超えるSi-TFTを実現するCWラテラル結晶化技術
（富士通 佐々木伸夫、原明人、竹内文代）
14:00- 微結晶シリコン薄膜を用いたa-Si太陽電池
（東工大 小長井誠）
14:25- ボールテクノロジー（球面半導体）とその応用
（ボールセミコンダクター社、吉田政孝）
14:50- 休憩
15:10- 異種基板上への半導体エピタキシャル成長
（東大 藤岡洋、太田実男、尾嶋正治）
15:35- 歪SOI-CMOSに向けた、溶融法によるSiGe-on-insulator基板の形成
（日立中研 杉井信之、山口伸也、鷲尾勝由）
16:00- 高性能ひずみSOI-MOSFETのためのSiGe on insulator基板作製技術
（半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト・東芝研究開発センター 杉山直治、手塚勉、水野智久、臼田宏治、高木信一）
16:25- 無転位III-V-N化合物半導体層のSi基板上の成長とデバイス応用
（豊橋技術大 米津宏雄、古川雄三）
16:50- 環境にやさしい発光材料b-FeSi2の作成とSi系LEDへの応用
（筑波大 長谷川文夫、末益 崇）