2002年6月18日(火) 13:30-16:30
第39回 研究集会
ITRS2001ロードマップを踏まえた、極浅接合技術を中心とする、パネリストによるショートプレゼンテーションとパネルディスカッションで構成する。現在のイオン注入とRTAを基本としたドーピング技術がいつまで使用可能か、代替技術は何か、ロードマップの目標値は適切かなどの観点でデバイスメーカ、装置メーカ、大学のパネリストにご議論頂く。
| テーマ | 極浅接合形成技術: ITRS2001ロードマップを踏まえて |
|---|---|
| オーガナイザー | 河村誠一郎（産総研）、豊島義明（東芝） |
| 共催 | SEMI Japan、SEMI Forum Japan2002(http://www.semi.org/sfj2002) 併催 |
プログラム
13:30-13:35 イントロダクトリー トーク 河村（モデレータ）
13:35-14:55 ショートプレゼンテーション (パネリスト１－８)
14:55-15:15 休憩
15:15-16:30 パネルディスカッション
パネリスト
デバイスメーカ：豊島（東芝）、黒井（三菱）、清田（日立）、米田（松下）
装置メーカ： 楡（フェトン）、丹上（日新イオン）
大学： 芝原（広大）、栗野（東北大）