第40回 研究集会
100nm技術ノード以降では，EOTで1.5nm以下の極薄ゲート酸化膜や，High-kゲート酸化膜が必要とされています．すでに，リーク電流の抑制と薄膜化というトレードオフへの挑戦が始まっており，様々な形成方法が検討されて成果が出始めています．しかし，極薄酸化膜では，リーク電流が膜の評価（例えば，容量測定や膜厚決定）に大きな影響を及ぼしているため，EOTひとつを取り上げても，統一的な見解には至っていないのではないかと思われます．一方，High-k絶縁膜では，物理膜厚を厚くできるので，リーク電流]の問題は軽減されますが，移動度劣化などの界面特性に及ぼすメカニズムは複雑であり，膜評価への影響が大きいと考えられます．さらに，High-k膜でも薄膜化への要求は厳しく，リーク電流の増加が課題であることは言うまでもありません．
以上のような状況を踏まえ，また，いくつかのコンソーシアムが将来の絶縁膜をターゲットとした研究を開始している状況を考慮し，シリコンテクノロジー分科会とSDM委員会は合同で，リーク電流，容量，膜厚，移動度，ゲート空乏化など，極薄ゲート絶縁膜やhigh-kゲート絶縁膜の特性評価に関する議論を行う研究会を企画しました．
開催場所
広島大学 学士会館２階レセプションホール
東広島市鏡山１丁目２番２号TEL（0824)24-6992
【ＪＲ山陽本線を利用する場合】
ＪＲ西条駅からバス「西条駅→広島大学（循環便）」
広島大学（広大中央口）下車（所要時間約２０分）
【山陽新幹線を利用する場合】
新幹線東広島駅からバス「東広島駅→広島大学」
広島大学（広大中央口）下車（所要時間１５分）
【広島空港を利用する場合】
広島空港からバス「空港→ＪＲ白市駅」
白市駅からＪＲ山陽本線「白市駅→西条駅」
西条駅からバス「西条駅→広島大学（循環便）」
広島大学（広大中央口）下車（所要時間２０分）
東広島キャンパス拡大図では、研究者交流施設と表示されています。 http://www.bur.hiroshima-u.ac.jp/~koho/koutsuu/koutsuu-annai.html
| テーマ | 100nm技術ノードにおける絶縁膜、小特集：絶縁膜評価技術 |
|---|---|
| 共催 | 合同開催：電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」 |
プログラム
６月２０日（木）
13：00-13：20
サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響
○ 東郷 光洋，最上 徹
NEC シリコンシステム研究所
13：20-13：40
プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
○ 関根 克行、犬宮 誠治、福井 大伸、高柳 万里子、水島 一郎、綱島 祥隆
（株）東芝 セミコンダクター社
13：40-14：00
マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
○程 火韋涛、大嶋 一郎、*島田 浩行、**小野 泰弘、**平山 昌樹、**寺本 章、須川 成利、**大見 忠弘
東北大学大学院 工学研究科、*セイコーエプソン（株）、**東北大学 未来科学技術共同研究センター
14：00-14：20
励起活性種を用いた極薄ゲート絶縁膜の低温形成
○ 今奥 崇夫、矢野 裕司、畑山 智亮、浦岡 行治、冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
14：20-14：40
Cat-CVD法を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成
○ 森本 類、吉川 明子、和泉 亮、松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
14：40-15：00
薄膜ゲート絶縁膜の量子力学的解析
○ 斎藤 慎一、嶋本 泰洋、鳥居 和功、平谷 正彦、尾内 享裕
（株）日立製作所 中央研究所
15：00-15：20 休憩（20分）
15：20-15：40
CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
○ 岡垣 健，谷沢 元昭，国清 辰也，網城 啓之，石川 清志，井上 靖朗
三菱電機(株) ULSI技術開発センター
15：40-16：00
リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
○ 嶋本 泰洋、外村 修、鳥居 和功、平谷 正彦
（株）日立製作所 中央研究所
16：00-16：20
最新の極薄酸化膜評価法について
○関野 敏正，川畑 茂
アジレント・テクノロジー（株） デバイステストマーケティング部
16：20-16：40
SiO2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
○ 高橋 健介，ムスタファ ビン セマン，*廣瀬 和之，服部 健雄
武蔵工業大学、*宇宙科学研究所
16：40-17：00
Bipolar voltage pulse induced current － a means for reliable extractionof interface trapdistribution in ultrathin oxides MOS structures
◯ Quazi D.M. Khosru、中島 安理、横山 新
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
17：00-17：20
ゲート酸化膜を薄膜化したショットキーソース／ドレインSOI-MOSFETの特性
○ 西坂 美香、吉田 敦信、浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
17：30-19：30 懇親会
６月２１日（金)
9：00-9：20
Al2O3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
○ 谷田 義明，田村 泰之，山口 正臣，宮垣 真治，吉田 親子，杉山 芳弘，田中 均
富士通研究所 シリコンテクノロジ研究所
9：20-9：40
CVD AlOx:N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析とエネルギーバンドプロファイルの決定
○ 須山 篤志、横井 宏和、山下 寛樹、奈良崎 昌宏、*水林 亘、村上 秀樹、宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
9：40-10：00
分子層制御CVDによるAlOx:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
○ 村上 秀樹、横井 宏和、水林 亘、須山 篤、山下 寛樹、*高 文秀、宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科、*岩谷産業
10：00-10：20
TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
○ 犬宮 誠治、高 大為、江口 和弘
（株）東芝 セミコンダクター社
10：20-10：40
高分解能RBSによるZrO2/Si界面の評価
○ 笹川 薫，藤川 和久
（株）コベルコ科研
10：40-11：00 休憩（20分）
11：00-11：20
Hf[N(C2H5)2]4を用いたＭＯＣＶＤによるHfO2膜の形成技術
○ 久保 万身、高橋 毅、神力 博
東京エレクトロンＡＴ
11：20-11：40
制限反応スパッタ法によるZrO2の成長とゲート絶縁膜特性
○ 河合 賢太郎、蓮 達弘、文珠 康真、*和泉 亮 、佐々木 公洋、畑 朋延
金沢大学、*北陸先端科学技術大学院大学
11：40-12：00
デュアルゲートCMOS応用を目指したN+注入によるMo仕事関数制御とその影響
○天田 高明、日野真 毅、前田 展秀、芝原 健太郎
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
12：00-12：20
(Ba,Sr)TiO3キャパシタ特性の下地電極依存性
○ 山田 紘士、*大下 祥雄、吉川 公麿
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター、*豊田工業大学
12：20-12：40
(Ba,Sr)TiO3膜物性の下地Si基板方位依存性
○ 大和 昌樹、山田 紘士、吉川 公麿
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
13：30-15：00
見学会：ナノデバイス・システム研究センター、放射光科学研究センター