(1)はじめに　(12:30～12:40)大阪府立大学　井上直久

**Si結晶育成技術**
(2)大口径欠陥制御シリコン結晶育成技術、現状と今後の展開 (12:40～13:10)
九州大学　柿本浩一

(3)シリコン結晶中の欠陥反応に及ぼす窒素・酸素・および点欠陥反応の影響（13:10-13:30)
コマツ電子金属　中村浩三

(4)シリコン融液の基本特性：不純物添加の効果と結晶との相関（13:30-14:00）
湘南工科大学　寺嶋一高

(5)高濃度Ge添加CZ-Si結晶中のスリップ発生予測（14:00-14:20）
信州大学　太子敏則

休憩（14:20-14:30）

**Si基板の高品質化技術**
(6)アルゴンアニールによるボイドの消滅シミュレーション（14:30-14:50）
ワッカーNSCE　碇　敦

(7)300mmウェーハ熱処理プロセスにおけるスリップ発生予測（14:50-15:10）
三菱住友シリコン　赤塚雅則

(8)ボロンイオン注入後にエピ堆積したp/p-ウェーハのエピ品質とゲッタリング能力（15:10-15:30）
ワッカーNSCE　北原功一

休憩（15:30-15:40）

**Si結晶中の欠陥、窒素、不純物の評価技術**
(9)窒素ドープシリコン結晶中の微小欠陥形態（15:40-16:00）
東芝セラミックス　藤森洋行

(10)赤外吸収測定によるCZシリコン中の不純物窒素の定量(16:00-16:20)
富士通研究所　棚橋克人

(11)シリコン中窒素による赤外吸収の理論的解析（16:20-16:40）
大阪府立大学　大久保一平

(12)高選択比異方性エッチングによるSi中微小欠陥の評価-高感度化と大面積試料評価の検討-（16:40-17:00）
豊田中央研究所　中嶋健次

(13)メスバウア分光によるシリコン中の鉄原子の直接観察（17:00-17:30）
静岡理工科大学　吉田豊

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(14)閉会にあたって (17:30～17:35)　 大阪府立大学　井上直久