第43回 研究集会
「現在の半導体のおかれている状態は決して技術論の問題ではなく、経営の問題なのだ」と、我々技術者が言っていてもはじまらないし、極微細MOSFETの開発はもう限界と言われながらも確実に進んでいる。我々ができるまっとうな道筋は、良い技術を良い技術と認めるだけの力を持ち、その上で健全に技術の裏をかくような改善の積み重ねが必要だ。今回の研究会では、本年６月に行われたＶＬＳＩテクノロジーシンポジウムにおいて発表された講演内容を基本にして、単にロードマップ上の数値ではなく、技術の方向性について議論する場としたい。課題はたくさんあるし、一つの講演があらゆる観点からパーフェクトであるはずはないが、本研究会において個々人が一つ一つの講演の良さを正しく理解し、“スカッと出し抜かれた感覚”を持ち、夏の疲れた頭をリフレッシュする場としていただけたらと思う。
開催場所
東洋大学 白山キャンパス 白山スカイホール
〒112-8606東京都文京区白山5-28-20●都営地下鉄三田線
「巣鴨」駅から「白山」駅まで4分
「水道橋」駅から「白山」駅まで4分
「白山」駅から徒歩5分
●営団地下鉄南北線
「四ッ谷」駅から「本駒込」駅まで8分
「駒込」駅から「本駒込」駅まで2分
「本駒込」駅から徒歩5分 https://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/BACK/map14.htm
| テーマ | 最先端ＣＭＯＳ技術 |
|---|---|
| オーガナイザー | 鳥海明（東京大学） |
プログラム
9:45～10:00 「はじめに」 鳥海 明、東京大学
10:00～10:35 「Low Standby Power CMOS with HfO2 Gate Oxide for 100-nm Generation」
Sergey Pidin、森崎祐輔、入野 清、中村友二、杉井寿博
富士通研究所
10:35～11:10 「Al2O3ゲート絶縁膜MISFETの移動度劣化」
鳥居和功、嶋本泰洋、斎藤慎一、外村修、平谷正彦、眞邊由起子、(*)M. Caymax、(**)J. W. Maes
（株）日立製作所、(*)IMEC、(**)ASM International NV
11:10～11:45 「CVD-HfO2の構造解析と信頼性」
原田佳尚、丹羽正昭、ソンジュ リー*、ディム・リー コン
松下電器産業（株）、(*)The University of Texas at Austin
11:45～12:20 「酸素リッチ界面層を有する極薄窒化シリコンゲート絶縁膜」
辻川真平、峰 利之、嶋本泰洋、外村 修、土屋龍太、大西和博、濱村浩孝、鳥居和功*、尾内享裕、由上二郎
（株）日立製作所、*SELETE
13:25～14:00 「Copper/low-k BEOLプロセスが極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす影響」
鈴木 篤、田渕清隆、木村秀樹、長谷川利昭、門村新吾、(*)各務克巳、(**)工藤 寛、(**)河野通有、(**)筑根敦弘、(**)山田雅雄
ソニー（株）、(*)富士通VLSI（株）、(**)富士通（株）
14:00～14:35 「先端システムLSIにおける水素アニールの新ガイドライン」
森藤 英治、熊森 徹、牟田 まどか、鈴木 一彦、(*)M.S.クリシュナン、(*)T.ブリョーク、(*)X.リ、朝野 和歌子、西郡 正人、柳谷 成俊、山田 誠司、宮本 浩二、野口達夫、各務 正一
（株）東芝 セミコンダクタ社、*PDF solutions, Inc.
14:35～15:10 「FUJITSU-90 nm CMOSテクノロジ」
中井聡、鷹尾義弘、児島 学、佐藤成生、菅谷慎二、杉井寿博、中村友二、(*)大場隆之、(*)加勢正隆、(*)清水敦男、(*)武智敏、(*)宮嶋基守、(*)羽入 勇、(*)渡部潔
富士通研究所、(*)富士通（株）
15:10～15:30 休憩
15:30～16:05 「高性能サブ100nmCMOS用の新しい多結晶ゲート制御技術」
上嶋和也、山本豊二、最上 徹
日本電気（株）
16:05～16:40 「高性能ひずみSOI-CMOS素子」
水野智久、杉山直治、手塚 勉、沼田敏典、高木信一
半導体MIRAI-ASET
16:40～17:15 「超高速MPU向け高性能CMOSプロセス - BSTSOI -」
工藤智彦、三宅慎一、庄 俊之、丸山信也、山 有貴子、嘉藤貴之、田中智章、松田友子、池田昌弘、今井清隆、大岡秀幸
日本電気（株）
17:15～17:30 まとめ