2002年9月30日、10月1日 10:00-15:45, 10:00-15:05

第44回 研究集会

 半導体の製造工程、製造装置、半導体素子、半導体回路に関するモデリング、およびシミュレーションを用いた解析、統計処理

開催場所

機械振興会館 地下3F 研修2号室

(営団地下鉄 日比谷線神谷町下車 または 都営三田線 芝公園下車)
テーマ プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般
共催 電子情報通信学会 VLSI設計研究集会(VLD)、電子情報通信学会 シリコン材料デバイス研究会(SDM)

プログラム

30日午前 座長 福田浩一(沖電気)

1. 10:00~10:25
3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討
○塚本康正・国清辰也・新居浩二・牧野博之・岩出秀平・石川清志・井上靖朗(三菱電機)

2. 10:25~10:50
微細トランジスタの閾値逆狭チャネル効果の解析
〇若原祥史・大倉康幸・天川博隆・西謙二(半導体先端テクノロジーズ)

3. 10:50~11:15
極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討
○河本章宏・佐藤伸吾・大村泰久(関西大)

4. 11:15~11:40
TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計
○三浦規之・小松原弘毅・望月麻理恵・林洋一・福田浩一(沖電気)

30日午後 座長 松澤一也(東芝)

5. 13:00~13:25
統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価
○北原義之(東芝)

6. 13:25~13:50
準バリスティックMOSFETの電子散乱効果
○和田尚也・名取研二(筑波大)

7. 13:50~14:15
MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析
○領家弘典・鎌倉良成・谷口研二(大阪大)

<休憩>14:15~14:30

座長 大倉康幸(Selete)

8. 14:30~14:55
モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正
○土屋英昭・三好旦六(神戸大)

9. 14:55~15:20
量子輸送現象の記述のための基底関数について
○森藤正人・加藤克彦(大阪大)

10. 15:20~15:45
量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝播解析
◯酒井敦・鎌倉良成・谷口研二(大阪大)


1日午前 座長 小川公裕 (ソニー)

11. 10:00~10:25
SPICEを使用した高精度クロストーク解析システム
○大嶋孝幸(NECエレクトロンデバイス)・坂本明広・三角和子(NECマイクロシステム)・蓑田幸男・藤田陽子・齋藤敏幸(NECエレクトロンデバイス)

12. 10:25~10:50
汎用PCクラスタを用いた並列回路シミュレーションシステム
○桑田公彦(NEC)・杉谷直樹(NEC情報システム)・蜂屋孝太郎・立川江介・斎藤敏幸・中田登志之(NEC)

13. 10:50~11:15
Yパラメタを用いたMOSFET高周波特性記述の検討
○上野弘明・神保聡・河野博昭・森川慶一・中山範明・三浦道子・ハンスユルゲンマタウシュ(広島大)

14. 11:15~11:40
MOSFETマッチング特性の統計的評価とモデル化の検討
○清水由幸・中村光男・松岡俊匡・谷口研二(大阪大)

1日午後 座長 鎌倉良成(大阪大学)

15. 13:00~13:25
ESD保護素子の等価回路モデルの検討
○安西浩美・戸坂義春・鈴木邦広・岡秀樹(富士通研)

16. 13:25~13:50
車載用ICのESDサージシミュレーション
○河野憲司・阿部龍一郎・浅井昭喜・樋口安史(デンソー)

17. 13:50~14:15
シリサイドブロックとコンタクト抵抗がESD保護素子の発熱に与える影響
○松沢一也・松橋豊明・川島博文(東芝)

18. 14:15~14:40
遺伝的アルゴリズムを用いた多目的最適化の検討
○和田哲典(東芝)

19. 14:40~15:05
遺伝的アルゴリズムを用いた,パラメータ抽出におけるグルーピング
○佐藤修平・寺田和夫・寺内衛(広島市立大)

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