第45回 研究集会
デバイス特性バラつきがいよいよ現実的な問題として認識されつつある。一方、ノイズや特性バラつきについてのシミュレーションによる検討は、従来手法を単純に拡張したものが主流である。しかしながら、バラつきやノイズを引き起こす物理的要因を十分に理解したうえでモデル化が行われているかどうか甚だ疑問がある。バラつきやノイズに対する回路設計の立場からの要求や限界を踏まえたうえで、特性バラつき要因を物理的に掘り下げて議論する。
開催場所
機械振興会館 地下3階 第1研修室
（営団地下鉄 日比谷線神谷町下車 または 都営三田線 芝公園下車）| テーマ | デバイス特性バラつきの物理とモデリング |
|---|---|
| オーガナイザー | 佐野 伸行（筑波大学 物理工学系) |
| 共催 | TCAD産学協議会 |
プログラム
(1) 13:00～13:30 回路設計における特性バラツキ問題とモデリング手法
STARC 南文裕
(2) 13:30～13:55 応答曲面法によるばらつき解析 ―装置機差の影響評価―
沖電気 望月麻理恵、三浦規之、小松原弘毅、林洋一、福田浩一、山本祐広、米川清隆、青木浩
(3) 13:55～14:20 ばらつきによるMOSFET微細化限界の考察
NEC 竹内潔
(4) 14:20～14:45 デバイス特性バラツキに関する理論的考察
筑波大、*STARC 鳥山周一、佐野伸行、松沢一也*、小田嘉則*、中山範明*
＜休憩＞ (14:45～15:00)
(5) 15:00～15:25 ＭＣ法を用いたポケットイオン注入不純物による閾値バラツキ解析
Selete 小田嘉則
(6) 15:25～15:50 シングルイオン注入法による極微細デバイスにおける不純物位置の制御
早稲田大 品田賢宏、大泊巌
(7) 15:50～16:15 STM/STSによるナノ-ポテンシャルプロファイリング
阪大産研 奥井登志子、長谷川繁彦、中島尚男
(8) 16:15～16:40 MOSFETにおける輸送雑音の理論的解析と微細化に向けての課題
関西大 大村泰久、角野大二郎、正岡 明
(9) 16:40～17:05 ノイズ・シミュレーション
東芝 松沢一也