第47回 研究集会
次世代LSI開発に向けて、更なる微細化のための新しいプロセスの開発や、ゲート絶 縁膜や層間絶縁膜など新しい材料の導入が検討されている。その開発の過程として新 プロセスの持つ物理的・化学的な理解や新材料の持つ性質の理解が必要である。しか しながら、それらの評価手法が確立していない場合が多く、LSI開発の時間との兼ね 合いから、ややもすると置き去りにされ、トライアンド エラーによる開発に頼る傾向 にある。この研究会では新しいプロセスのための評価技術や新しい材料に対する評価 技術という観点から、シリコンテクノロジーに利用できる新しい評価技術、新しいゲ ート絶縁膜用high-k材料の性質を知るための評価技術に関する話題を 集め、科学的 な次世代LSI開発アプローチのための研究会としたい。
| テーマ | 次世代LSI開発アプローチのための評価技術 |
|---|---|
| 参加費 | シリコンテクノロジー分科会：1500円 非会員：3000円 冊子希望の方には2000円でお分けします。(送料込み) |
| お問い合わせ先 | ibuki.watanabe@aist.go.jp |
プログラム
はじめに
１３：００-１３：０５
産業技術総合研究所
山崎 聡
１３：０５ - １３：３５
「High-kゲート絶縁膜の課題と評価技術に対する要望」
半導体先端テクノロジーズ
有門 経敏
１３：３５ - １４：０５
「高誘電体ゲート絶縁膜における信頼性上の諸課題～ ＳｉＯ２およびＳｉＯＮとの比較の観点から ～」
（株）東芝
佐竹 秀喜
１４：０５ - １４：３５
「シリコン酸化膜の技術開発に学んで新ゲート絶縁膜開発を考える」
筑波大学物理工学系
山部 紀久夫
１４：３５ - １５：０５
「ＸＰＳにより何が解明されたか？ ー ゲート酸化膜／シリコン界面遷移層の場合 －」
武蔵工大
服部 健雄
１５：０５ - １５：２０
休憩
１５：２０ - １５：５０
「ゲート絶縁膜中の局在順位に関する知見」
産業技術総合研究所
山崎 聡
１５：５０ - １６：２０
「Low-k膜の現状と将来展望（仮題）
NEC
遠藤 和彦
１６：２０ - １６：５０
「プラズマエッチング技術におけるダメージとその抑制方法」
東北大学流体科学研究所
寒川誠二
まとめ
１６：５０ -１７：００