09:45 - 10:00　開会の挨拶
鳥海明（東京大学）

先端ＵＬＳＩ（4件）

10:00 - 10:30
１：高集積メモリー混載 65nm CMOSテクノロジー(CMOS5)
柳谷成俊，松田　聡，稲葉　聡，高柳万里子，水島一郎，大内和也，岡野王俊，高橋一美，森藤英治，神田正彦，松原義徳，土生真理子，西郡正人，本多健二，津野仁志，安本佳緒里，山本武志，檜山薫，国分弘一，鈴木泰成，吉川淳二，桜井正臣，石塚竜嗣，生田佳嗣，森内真優美，岸田基也，松森久和，原川 秀明，親松尚人，長島直樹*，山田誠司，野口達夫，岡本　裕*，各務正一
（株）東芝、ソニー（株）*

10:30 - 11:00
２：0.18um混載LSI用高信頼性強誘電体プロセス
堀井義正、彦坂幸信、伊藤昭男、松浦克好、倉澤正樹*、小室玄一、丸山研二*、恵下　隆、柏木茂雄
富士通（株）、富士通研*

11:00 - 11:30
３：新構造スタックセルを用いたLogic混載用4Mb FeRAM
林　孝尚、五十嵐泰史、猪俣大介、一森高示、三橋敏郎、足利欣哉、伊東敏雄、吉丸正樹、長田昌也*、御手洗俊*、後醍院弘典*、長浜　勉*、磯辺千春*、守屋博之*、庄子光治*、伊藤康幸*、黒田英明*、佐々木正義*
沖電気工業（株）、ソニー（株）*

11:30 - 12:00
４：HfO2 MIM容量とBSTSOI(TM)を用いた超高性能0.13um混載DRAM技術
青木康志、上田岳洋、白井浩樹、佐甲　隆、北村卓也、新井紳太郎、坂尾眞人、井上　顕、竹内麻美、杉村啓世、浜田昌幸、和氣智子、成竹功夫、飯塚敏洋、山本朝恵、安藤公一、野田研二
ＮＥＣエレクトロニクス

12:00 - 13:00 Lunch

新デバイス　＆　極微細デバイス（5件）

13:00 - 13:30
５：プラズマ酸化とエッチングによりリセスドチャネルを形成した高性能ダマシンゲートCMOSFETs
松尾浩司、関根克行、齋藤友博、中嶋一明、須黒恭一、綱島祥隆
（株）東芝

13:30 - 14:00
６：15nm厚Siチャネル縦型ダブルゲートMOSFET(IMOSFET)
昌原明植、松川　貴、石井賢一、柳　永勛、田上尚男、坂本邦博、関川敏弘、山内洋美、金丸正剛、鈴木英一
産業技術総合研究所

14:00 - 14:30
７：14nmゲートCMOS技術(poly-SiGeゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上)
外園　明、大内和也、高柳万里子、渡辺由美、馬越俊幸、加藤善光、清水　敬、森　伸二、小熊英樹、佐々木俊行、吉村尚郎、宮野清孝、安武信昭、須藤裕之、安達甘奈、福井大伸、渡辺　健、玉置直樹、豊島義明、石内秀美
（株）東芝

14:30 - 15:00
８：窒素注入技術を用いた40nm pMOSFETのためのエクステンション横方向プロファイル制御技術
籾山陽一、岡部堅一*、中尾宏、加勢正隆、児島学、杉井寿博
富士通（株）、富士通VLSIテクノロジ*

15:00 - 15:30
９：小さいナロー効果と高い正孔移動度を有する<100>チャネルSOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
松本拓治、ハイ　ダン、内田哲也、太田和伸、平野有一、佐山弘和、岩松俊明、一法師隆志、尾田秀一、前川繁登、井上靖朗、西村　正
三菱電機（株）

15:30 - 15:45 休憩

（High-K Integration & Thin Oxides）（3件）

15:45 - 16:15
１０：擬似絶縁破壊による消費電力増加のLSI信頼性への懸念
細井卓治、Pascal Lo Re、鎌倉良成、谷口研二
阪大院工

16:15 - 16:45
１１：極薄SiO2膜およびSiON膜のNBT劣化とその機構の考察
三谷祐一郎、長嶺　真、佐竹秀喜、鳥海　明*
（株）東芝、東大院工*

16:45 - 17:15
１２：SiN/HfO2/SiON積層ゲート絶縁膜の電気特性と熱的安定性
森崎祐輔、青山敬幸*、杉田義博、入野　清、杉井寿博、中村友二
富士通（株）、富士通研*

17:15 - 17:45　まとめ、鳥海